Rohm Semiconductor BR25L160FVT-WE2
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 3.30 | Dhs. 3.30 |
| 15+ | Dhs. 3.20 | Dhs. 48.00 |
| 25+ | Dhs. 3.13 | Dhs. 78.25 |
| 50+ | Dhs. 2.96 | Dhs. 148.00 |
| 100+ | Dhs. 2.61 | Dhs. 261.00 |
| N+ | Dhs. 0.52 | Price Inquiry |
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BR25L160FVT-WE2 - Circuit intégré de mémoire EEPROM SPI 16 kbits haute fiabilité
Le BR25L160FVT-WE2 de Rohm Semiconductor est un circuit intégré de mémoire EEPROM SPI 16 kbits (2K x 8) haut de gamme, conçu pour les applications industrielles et embarquées exigeant un stockage de données non volatiles fiable. Ce composant CMS offre une large plage de tensions de fonctionnement (1,8 V à 5,5 V), ce qui le rend idéal pour les appareils alimentés par batterie, les capteurs IoT, l'électronique automobile et les systèmes de contrôle industriels.
Principales caractéristiques et avantages
- Capacité mémoire de 16 Kbits : l’organisation en 2K x 8 offre un espace de stockage suffisant pour les données de configuration, les paramètres d’étalonnage et les journaux système.
- Interface SPI : Interface périphérique série standard avec une fréquence d'horloge de 5 MHz permettant un transfert de données rapide et efficace
- Large plage de tension : le fonctionnement de 1,8 V à 5,5 V assure la compatibilité avec diverses architectures système et alimentations.
- Plage de températures industrielles : Fonctionnement prévu de -40 °C à 85 °C, adapté aux environnements difficiles.
- Faible consommation d'énergie : optimisé pour des conceptions écoénergétiques et une durée de vie de la batterie prolongée
- Boîtier TSSOP 8 broches compact : conception à montage en surface peu encombrante (largeur de 4,40 mm / 0,173 pouce) pour les circuits imprimés haute densité.
- Cycle d'écriture rapide : un temps de cycle d'écriture de 5 ms garantit une journalisation des données et des mises à jour de configuration réactives.
- Conforme à la directive RoHS : Répond aux normes environnementales en matière de fabrication sans plomb
Applications typiques
Ce circuit intégré de mémoire EEPROM est parfaitement adapté pour :
- Systèmes d'automatisation industrielle et de contrôle des processus
- Compteurs intelligents et dispositifs de surveillance de l'énergie
- Systèmes électroniques et de tableaux de bord automobiles
- Équipements médicaux et instruments de diagnostic
- Appareils électroniques grand public nécessitant un stockage de configuration
- Dispositifs IoT périphériques et réseaux de capteurs sans fil
- équipement d'infrastructure de télécommunications
Spécifications techniques
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Ressources et assistance techniques
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| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | Rohm Semiconductor |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande coupée (CT) | Bande et bobine (TR) |
| Type de mémoire | Non volatil |
| Format de mémoire | EEPROM |
| Technologie | EEPROM |
| Taille de la mémoire | 16 kbits |
| Organisation de la mémoire | 2K x 8 |
| Interface mémoire | SPI |
| Fréquence d'horloge | 5 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 5 ms |
| Temps d'accès | - |
| Tension - Alimentation | 1,8 V ~ 5,5 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 8-TSSOP (0,173", largeur 4,40 mm) |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 8-TSSOP-B |
| RoHS |

BR25L160FVT-WE2.pdf