Rohm Semiconductor BR25S128FJ-WE2

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BR25S128FJ-WE2 - Circuit intégré de mémoire EEPROM SPI 128 kbits hautes performances

La BR25S128FJ-WE2 de Rohm Semiconductor est une mémoire EEPROM non volatile de 128 kbits (16 Ko x 8) fiable, dotée de l'interface SPI. Ce circuit intégré de mémoire de qualité industrielle offre des performances exceptionnelles grâce à sa fréquence d'horloge de 20 MHz et fonctionne sur une large plage de tensions d'alimentation (de 1,7 V à 5,5 V), ce qui le rend idéal pour les systèmes embarqués, l'automatisation industrielle, les objets connectés et les applications d'acquisition de données.

Principales caractéristiques et avantages :

  • Interface SPI haute vitesse : la fréquence d’horloge de 20 MHz garantit un accès et un transfert de données rapides.
  • Large plage de tension de fonctionnement : de 1,7 V à 5,5 V, prenant en charge diverses configurations d’alimentation.
  • Plage de températures industrielles : de -40 °C à 85 °C pour un fonctionnement fiable dans des environnements difficiles.
  • Boîtier compact pour montage en surface : le boîtier SOIC 8 broches (largeur de 3,90 mm) permet un gain de place précieux sur le circuit imprimé.
  • Faible consommation d'énergie : Idéal pour les conceptions alimentées par batterie et économes en énergie
  • Conforme à la directive RoHS : respectueux de l'environnement et conforme aux normes internationales

Spécifications techniques :

Applications :

Le BR25S128FJ-WE2 est parfaitement adapté pour :

  • systèmes de contrôle industriel et équipements d'automatisation
  • compteurs intelligents et dispositifs de gestion de l'énergie
  • Instrumentation médicale et équipement de diagnostic
  • Systèmes électroniques et télématiques automobiles
  • Appareils électroniques grand public nécessitant un stockage de données non volatil
  • stockage des données de configuration et d'étalonnage

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Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant Rohm Semiconductor
Gamme de produits
Conditionnement Bande coupée (CT) | Bande et bobine (TR)
Type de mémoire Non volatil
Format de mémoire EEPROM
Technologie EEPROM
Taille de la mémoire 128 kbits
Organisation de la mémoire 16K x 8
Interface mémoire SPI
Fréquence d'horloge 20 MHz
Écrire le temps de cycle - Word, Page 5 ms
Temps d'accès -
Tension - Alimentation 1,7 V ~ 5,5 V
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 8-SOIC (0,154", largeur 3,90 mm)
Emballage du dispositif du fournisseur 8-SOP-J
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY