Rohm Semiconductor BR25S640FVT-WE2

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BR25S640FVT-WE2 - Mémoire EEPROM SPI 64 Kbits haute performance

La mémoire EEPROM non volatile BR25S640FVT-WE2 de Rohm Semiconductor est une solution fiable de 64 kbits conçue pour les applications industrielles, automobiles et embarquées exigeantes. Cette puce mémoire haute performance est dotée d'une interface SPI permettant des transferts de données rapides jusqu'à une fréquence d'horloge de 20 MHz, ce qui la rend idéale pour les applications nécessitant des opérations de lecture/écriture rapides et une bonne conservation des données.

Principales caractéristiques et avantages

  • Capacité de mémoire de 64 Kbits : organisée en 8 Ko x 8 pour un stockage de données flexible
  • Interface SPI rapide : la fréquence d’horloge de 20 MHz permet un accès rapide aux données
  • Large plage de tension : fonctionne de 1,7 V à 5,5 V pour une intégration système polyvalente.
  • Plage de températures industrielles : -40 °C à 85 °C (TA) garantissant un fonctionnement fiable dans des environnements difficiles
  • Boîtier compact pour montage en surface : le boîtier 8-TSSOP (largeur de 4,40 mm) permet un gain de place précieux sur le circuit imprimé.
  • Faible consommation d'énergie : Idéal pour les conceptions alimentées par batterie et économes en énergie
  • Temps de cycle d'écriture de 5 ms : Opérations d'écriture rapides pour les pages et les mots
  • Conforme à la directive RoHS : respectueux de l'environnement et conforme aux normes internationales

Applications

Cette mémoire EEPROM est idéale pour :

  • Systèmes de contrôle industriel et automatisation
  • Systèmes électroniques et de tableaux de bord automobiles
  • stockage de configuration des appareils électroniques grand public
  • Enregistrement des données des dispositifs médicaux
  • Compteurs intelligents et appareils IoT
  • Stockage des données d'étalonnage et des paramètres

Spécifications techniques

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Ressources connexes

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Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant Rohm Semiconductor
Gamme de produits
Conditionnement Bande coupée (CT) | Bande et bobine (TR)
Type de mémoire Non volatil
Format de mémoire EEPROM
Technologie EEPROM
Taille de la mémoire 64 kbits
Organisation de la mémoire 8K x 8
Interface mémoire SPI
Fréquence d'horloge 20 MHz
Écrire le temps de cycle - Word, Page 5 ms
Temps d'accès -
Tension - Alimentation 1,7 V ~ 5,5 V
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 8-TSSOP (0,173", largeur 4,40 mm)
Emballage du dispositif du fournisseur 8-TSSOP-B
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY