Rohm Semiconductor BR93G46FV-3BGTE2
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 2.36 | Dhs. 2.36 |
| 15+ | Dhs. 2.27 | Dhs. 34.05 |
| 25+ | Dhs. 2.22 | Dhs. 55.50 |
| 50+ | Dhs. 2.10 | Dhs. 105.00 |
| 100+ | Dhs. 1.85 | Dhs. 185.00 |
| N+ | Dhs. 0.37 | Price Inquiry |
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BR93G46FV-3BGTE2 - Circuit intégré de mémoire EEPROM 1 Kbit haute performance
La BR93G46FV-3BGTE2 de Rohm Semiconductor est une solution de mémoire EEPROM non volatile de 1 Kbit fiable, conçue pour les systèmes embarqués nécessitant un stockage de données persistant. Ce circuit intégré compact à montage en surface est doté d'une interface série Microwire fonctionnant à 3 MHz, ce qui le rend idéal pour les applications dans les domaines du contrôle industriel, de l'électronique automobile, des appareils grand public et de l'Internet des objets (IoT).
Principales caractéristiques et avantages
- Capacité mémoire de 1 Kbit : l’organisation 64 x 16 assure un stockage efficace des données pour les paramètres de configuration, les données d’étalonnage et les paramètres système.
- Large plage de tension : fonctionne de 1,7 V à 5,5 V, compatible avec les systèmes 3,3 V et 5 V.
- Plage de températures industrielles : Fonctionnement prévu de -40 °C à 85 °C, garantissant une fiabilité optimale même dans des environnements difficiles.
- Fréquence d'horloge élevée : 3 MHz. L'interface Microwire permet un accès et un transfert de données rapides.
- Faible consommation d'énergie : la technologie EEPROM assure la conservation des données sans alimentation continue.
- Boîtier compact : le boîtier CMS 8-LSSOP/8-SSOP-B permet un gain de place précieux sur le circuit imprimé.
Applications
Cette mémoire EEPROM est idéale pour stocker des données non volatiles critiques dans les calculateurs automobiles, les capteurs industriels, les compteurs intelligents, les dispositifs médicaux, les systèmes de sécurité et l'électronique grand public où les données de configuration doivent persister malgré les cycles d'alimentation.
Spécifications techniques complètes
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| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | Rohm Semiconductor |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande coupée (CT) | Bande et bobine (TR) |
| Type de mémoire | Non volatil |
| Format de mémoire | EEPROM |
| Technologie | EEPROM |
| Taille de la mémoire | 1 Kbit |
| Organisation de la mémoire | 64 x 16 |
| Interface mémoire | Microfil |
| Fréquence d'horloge | 3 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 5 ms |
| Temps d'accès | - |
| Tension - Alimentation | 1,7 V ~ 5,5 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 8-LSSOP (0,173", largeur 4,40 mm) |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 8-SSOP-B |
| RoHS |  |
BR93G46FV-3BGTE2.pdf