Rohm Semiconductor BR93G46FVJ-3AGTE2

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15+ Dhs. 2.07 Dhs. 31.05
25+ Dhs. 2.03 Dhs. 50.75
50+ Dhs. 1.91 Dhs. 95.50
100+ Dhs. 1.69 Dhs. 169.00
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Le BR93G46FVJ-3AGTE2 de Rohm Semiconductor est un circuit intégré de mémoire EEPROM 1 Kbit haute fiabilité doté de la technologie d'interface série Microwire. Cette solution de mémoire non volatile offre des performances exceptionnelles grâce à une fréquence d'horloge de 3 MHz et une large plage d'alimentation (1,7 V à 5,5 V), ce qui la rend idéale pour les applications industrielles et alimentées par batterie.

Principales caractéristiques et avantages :

  • Capacité de mémoire de 1 Kbit organisée en 64 x 16 bits pour un stockage de données flexible
  • L'interface série Microwire permet une communication simple à 3 fils avec un nombre minimal de broches.
  • La large plage de tension de fonctionnement (1,7 V ~ 5,5 V) prend en charge diverses configurations d'alimentation.
  • La plage de températures industrielles (-40 °C à 85 °C) garantit un fonctionnement fiable dans des environnements difficiles.
  • Cycle d'écriture rapide de 5 ms pour une programmation de données efficace
  • Le boîtier TSSOP 8 broches compact (largeur de 3,00 mm) permet un gain de place précieux sur le circuit imprimé.
  • Conforme à la norme RoHS pour une fabrication respectueuse de l'environnement

Applications :

Cette mémoire EEPROM est parfaitement adaptée à l'électronique automobile, aux systèmes de contrôle industriels, à l'électronique grand public et aux systèmes embarqués nécessitant un stockage non volatil des paramètres, la conservation des données d'étalonnage ou une mémoire de configuration.

Spécifications techniques :

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Nous fournissons des composants Rohm Semiconductor 100 % authentiques, bénéficiant de la garantie constructeur complète et d'une livraison internationale. Notre stock important garantit une livraison rapide pour vos besoins de production.

Produits et ressources associés :

Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant Rohm Semiconductor
Gamme de produits
Conditionnement Bande coupée (CT) | Bande et bobine (TR)
Type de mémoire Non volatil
Format de mémoire EEPROM
Technologie EEPROM
Taille de la mémoire 1 Kbit
Organisation de la mémoire 64 x 16
Interface mémoire Microfil
Fréquence d'horloge 3 MHz
Écrire le temps de cycle - Word, Page 5 ms
Temps d'accès -
Tension - Alimentation 1,7 V ~ 5,5 V
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 8-TSSOP, 8-MSOP (0,118", largeur 3,00 mm)
Emballage du dispositif du fournisseur 8-TSSOP-BJ
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