Rohm Semiconductor BR93G66FJ-3BGTE2
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 2.32 | Dhs. 2.32 |
| 15+ | Dhs. 2.24 | Dhs. 33.60 |
| 25+ | Dhs. 2.20 | Dhs. 55.00 |
| 50+ | Dhs. 2.07 | Dhs. 103.50 |
| 100+ | Dhs. 1.83 | Dhs. 183.00 |
| N+ | Dhs. 0.37 | Price Inquiry |
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BR93G66FJ-3BGTE2 - Circuit intégré de mémoire EEPROM 4 Kbits haute performance
La BR93G66FJ-3BGTE2 de Rohm Semiconductor est une solution de mémoire EEPROM non volatile de 4 Kbits fiable, conçue pour les systèmes embarqués et les applications industrielles. Ce circuit intégré de mémoire à montage en surface (CMS) est doté d'une interface série Microwire fonctionnant à 3 MHz, ce qui le rend idéal pour les conceptions à base de microcontrôleurs nécessitant un stockage de données compact et basse consommation.
Principales caractéristiques et avantages
- Capacité de mémoire de 4 Kbits - L'organisation 256 x 16 offre un stockage flexible des données pour les paramètres de configuration, les données d'étalonnage et les paramètres utilisateur.
- Large plage de tension : fonctionne de 1,7 V à 5,5 V, compatible avec les systèmes 3,3 V et 5 V.
- Plage de températures industrielles - Conçu pour un fonctionnement de -40 °C à 85 °C, adapté aux environnements difficiles
- Fréquence d'horloge élevée - L'interface Microwire 3 MHz permet un accès et un transfert de données rapides.
- Boîtier compact pour montage en surface - Son format 8-SOIC (largeur de 3,90 mm) permet un gain de place précieux sur le circuit imprimé.
- Faible consommation d'énergie - La technologie EEPROM assure la conservation des données sans alimentation continue
- Conforme à la norme RoHS - Construction écologique et sans plomb
Applications courantes
Cette mémoire EEPROM est idéale pour le stockage de données critiques dans l'électronique automobile, les systèmes de contrôle industriels, l'électronique grand public, les dispositifs médicaux et les applications IoT. Sa nature non volatile garantit la sécurité de vos données même en cas de coupure de courant, tandis que son temps de cycle d'écriture de 5 ms assure une programmation rapide.
Spécifications techniques complètes
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Nous fournissons exclusivement des composants Rohm Semiconductor authentiques, bénéficiant de la garantie constructeur complète. Chaque circuit intégré BR93G66FJ-3BGTE2 provient directement de distributeurs agréés, vous assurant ainsi des pièces authentiques, fiables et de qualité garantie pour vos applications critiques.
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| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | Rohm Semiconductor |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande coupée (CT) | Bande et bobine (TR) |
| Type de mémoire | Non volatil |
| Format de mémoire | EEPROM |
| Technologie | EEPROM |
| Taille de la mémoire | 4Kbit |
| Organisation de la mémoire | 256 x 16 |
| Interface mémoire | Microfil |
| Fréquence d'horloge | 3 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 5 ms |
| Temps d'accès | - |
| Tension - Alimentation | 1,7 V ~ 5,5 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 8-SOIC (0,154", largeur 3,90 mm) |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 8-SOP-J |
| RoHS |  |
BR93G66FJ-3BGTE2.pdf