Rohm Semiconductor BR93G66FV-3GTE2

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15+ Dhs. 2.17 Dhs. 32.55
25+ Dhs. 2.12 Dhs. 53.00
50+ Dhs. 2.01 Dhs. 100.50
100+ Dhs. 1.77 Dhs. 177.00
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BR93G66FV-3GTE2 - Circuit intégré de mémoire EEPROM 4 Kbits haute fiabilité

La BR93G66FV-3GTE2 de Rohm Semiconductor est une solution de mémoire EEPROM non volatile 4 Kbits haut de gamme, conçue pour les applications industrielles, automobiles et embarquées exigeantes. Ce circuit intégré de mémoire à montage en surface est doté d'une interface série Microwire, offrant un stockage de données fiable avec une endurance et une rétention exceptionnelles.

Principales caractéristiques et avantages

  • Capacité mémoire de 4 Kbits : l’organisation en 256 x 16 bits offre une grande flexibilité de stockage des données pour les paramètres de configuration, les données d’étalonnage et les paramètres système.
  • Large plage de tension : fonctionne de 1,7 V à 5,5 V, assurant la compatibilité avec les systèmes basse consommation anciens et modernes.
  • Fréquence d'horloge rapide : 3 MHz. L'interface Microwire permet un accès et un transfert de données rapides.
  • Plage de températures industrielles : Fonctionnement prévu de -40 °C à 85 °C, idéal pour les environnements difficiles.
  • Boîtier compact 8-SSOP : Conception à montage en surface 8-LSSOP (largeur de 4,40 mm) peu encombrante, idéale pour les circuits imprimés haute densité.
  • Faible consommation d'énergie : optimisé pour les applications alimentées par batterie et économes en énergie

Spécifications techniques

Applications

Le BR93G66FV-3GTE2 est idéal pour :

  • systèmes de contrôle industriel et équipements d'automatisation
  • Stockage des données d'étalonnage des calculateurs électroniques automobiles et des calculateurs
  • Dispositifs médicaux nécessitant un stockage fiable des paramètres
  • gestion de la configuration des appareils électroniques grand public
  • Dispositifs IoT et capteurs intelligents
  • Équipement de télécommunications

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Ressources et assistance techniques

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Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant Rohm Semiconductor
Gamme de produits
Conditionnement Bande coupée (CT) | Bande et bobine (TR)
Type de mémoire Non volatil
Format de mémoire EEPROM
Technologie EEPROM
Taille de la mémoire 4Kbit
Organisation de la mémoire 256 x 16
Interface mémoire Microfil
Fréquence d'horloge 3 MHz
Écrire le temps de cycle - Word, Page 5 ms
Temps d'accès -
Tension - Alimentation 1,7 V ~ 5,5 V
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 8-LSSOP (0,173", largeur 4,40 mm)
Emballage du dispositif du fournisseur 8-SSOP-B
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY