Rohm Semiconductor BR93G76F-3GTE2

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BR93G76F-3GTE2 - Circuit intégré de mémoire EEPROM 8 Kbits de Rohm Semiconductor

Le BR93G76F-3GTE2 est un circuit intégré de mémoire EEPROM 8 Kbits hautes performances fabriqué par Rohm Semiconductor, conçu pour le stockage fiable de données non volatiles dans les systèmes embarqués et les applications industrielles. Ce composant authentique est doté d'une interface série Microwire pour une communication efficace et une grande flexibilité d'organisation de la mémoire.

Principales caractéristiques et avantages

  • Capacité mémoire de 8 Kbits - Deux modes d'organisation : 1 K x 8 ou 512 x 16 bits pour une plus grande flexibilité d'application
  • Interface série Microwire - Protocole standard à 3 fils avec une fréquence d'horloge de 3 MHz pour un transfert de données rapide
  • Large plage de tension : fonctionne de 1,7 V à 5,5 V, compatible avec les systèmes 3,3 V et 5 V.
  • Plage de températures industrielles - Fonctionnement fiable de -40 °C à 85 °C pour les environnements difficiles
  • Cycle d'écriture rapide - Temps de cycle d'écriture de 5 ms pour des mises à jour de données efficaces
  • Boîtier CMS (composants montés en surface) - Boîtier compact 8-SOIC (8-SOP) permettant un gain de place sur la carte.
  • Conforme à la norme RoHS - Construction écologique et sans plomb

Applications typiques

La mémoire EEPROM BR93G76F-3GTE2 est idéale pour stocker des données de configuration, des paramètres d'étalonnage, des paramètres utilisateur et de petits ensembles de données dans :

  • systèmes de contrôle industriel et équipements d'automatisation
  • appareils électroniques grand public et domotiques
  • Systèmes électroniques et de tableaux de bord automobiles
  • Dispositifs et instruments médicaux
  • équipements de communication et dispositifs de réseau
  • Systèmes embarqués nécessitant un stockage non volatil

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Spécifications techniques

Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant Rohm Semiconductor
Gamme de produits
Conditionnement Bande coupée (CT) | Bande et bobine (TR)
Type de mémoire Non volatil
Format de mémoire EEPROM
Technologie EEPROM
Taille de la mémoire 8Kbit
Organisation de la mémoire 1K x 8, 512 x 16
Interface mémoire Microfil
Fréquence d'horloge 3 MHz
Écrire le temps de cycle - Word, Page 5 ms
Temps d'accès -
Tension - Alimentation 1,7 V ~ 5,5 V
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 8-SOIC (0,173", largeur 4,40 mm)
Emballage du dispositif du fournisseur 8-SOP
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY