Rohm Semiconductor BR93L66FVT-WE2

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15+ Dhs. 2.17 Dhs. 32.55
25+ Dhs. 2.12 Dhs. 53.00
50+ Dhs. 2.01 Dhs. 100.50
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BR93L66FVT-WE2 - Circuit intégré EEPROM 4 Kbits haute fiabilité de Rohm Semiconductor

La BR93L66FVT-WE2 est une mémoire EEPROM non volatile 4 Kbits haut de gamme, fabriquée par Rohm Semiconductor et conçue pour les systèmes embarqués exigeant une conservation fiable des données et une faible consommation. Cette EEPROM à montage en surface est dotée d'une interface série Microwire cadencée à 2 MHz, ce qui la rend idéale pour les applications de contrôle industriel, l'électronique automobile et l'Internet des objets (IoT).

Principales caractéristiques et avantages

  • Capacité de mémoire de 4 Kbits - L'organisation 256 x 16 offre un stockage flexible des données de configuration et d'étalonnage.
  • Large plage de tension : fonctionne de 1,8 V à 5,5 V, compatible avec les systèmes 3,3 V et 5 V.
  • Interface Microwire - Protocole série standard de l'industrie pour une intégration facile avec les microcontrôleurs
  • Plage de températures industrielles - Conçu pour fonctionner de -40 °C à 85 °C dans des environnements difficiles
  • Cycle d'écriture rapide - Un temps de cycle d'écriture de 5 ms garantit des mises à jour de données rapides
  • Boîtier compact 8-TSSOP - Conception à montage en surface peu encombrante (largeur de 4,40 mm)
  • Conforme à la norme RoHS - Construction écologique sans plomb

Spécifications techniques

Applications

La mémoire EEPROM BR93L66FVT-WE2 est parfaitement adaptée pour :

  • stockage de la configuration du système embarqué
  • Conservation des données d'étalonnage dans les équipements industriels
  • Paramètres et préférences utilisateur dans les appareils électroniques grand public
  • Systèmes de stockage de clés de sécurité pour l'authentification
  • Enregistrement de données dans les dispositifs automobiles et médicaux

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Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant Rohm Semiconductor
Gamme de produits
Conditionnement Bande coupée (CT) | Bande et bobine (TR)
Type de mémoire Non volatil
Format de mémoire EEPROM
Technologie EEPROM
Taille de la mémoire 4Kbit
Organisation de la mémoire 256 x 16
Interface mémoire Microfil
Fréquence d'horloge 2 MHz
Écrire le temps de cycle - Word, Page 5 ms
Temps d'accès -
Tension - Alimentation 1,8 V ~ 5,5 V
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 8-TSSOP (0,173", largeur 4,40 mm)
Emballage du dispositif du fournisseur 8-TSSOP-B
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY