Rohm Semiconductor BR93L76FJ-WE2
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 1.99 | Dhs. 1.99 |
| 15+ | Dhs. 1.93 | Dhs. 28.95 |
| 25+ | Dhs. 1.89 | Dhs. 47.25 |
| 50+ | Dhs. 1.79 | Dhs. 89.50 |
| 100+ | Dhs. 1.58 | Dhs. 158.00 |
| N+ | Dhs. 0.32 | Price Inquiry |
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Rohm BR93L76FJ-WE2 - Circuit intégré de mémoire EEPROM 8 Kbits haute performance
La BR93L76FJ-WE2 de Rohm Semiconductor est une solution de mémoire EEPROM non volatile de 8 kbits fiable, dotée de la technologie d'interface série Microwire. Conçue pour les systèmes embarqués nécessitant un stockage de données persistant, cette puce CMS fonctionne sur une large plage de tensions d'alimentation (1,8 V à 5,5 V), ce qui la rend idéale pour les applications industrielles et alimentées par batterie.
Principales caractéristiques et avantages
- Capacité mémoire de 8 Kbits : l’organisation 512 x 16 offre un stockage flexible des données pour les paramètres de configuration, les données d’étalonnage et les préférences utilisateur.
- Interface série Microwire : un protocole de communication simple à 3 fils réduit le nombre de broches et la complexité de la carte.
- Large plage de tension de fonctionnement : la plage d'alimentation de 1,8 V à 5,5 V assure la compatibilité avec les conceptions modernes à faible consommation.
- Plage de températures industrielles : fonctionnement de -40 °C à 85 °C pour une fiabilité optimale en environnement difficile
- Accès rapide : la fréquence d'horloge de 2 MHz permet des opérations de lecture/écriture rapides.
- Boîtier compact : l'encombrement de montage en surface 8-SOIC permet de gagner un espace précieux sur le circuit imprimé.
Spécifications techniques
Applications
Cette mémoire EEPROM est idéale pour stocker les paramètres système critiques dans les conceptions à base de microcontrôleurs, les appareils IoT, l'électronique automobile, les systèmes de contrôle industriels et l'électronique grand public où la conservation de la mémoire non volatile est essentielle.
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| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | Rohm Semiconductor |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande coupée (CT) | Bande et bobine (TR) |
| Type de mémoire | Non volatil |
| Format de mémoire | EEPROM |
| Technologie | EEPROM |
| Taille de la mémoire | 8 kbits |
| Organisation de la mémoire | 512 x 16 |
| Interface mémoire | Microfil |
| Fréquence d'horloge | 2 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 5 ms |
| Temps d'accès | - |
| Tension - Alimentation | 1,8 V ~ 5,5 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 8-SOIC (0,154", largeur 3,90 mm) |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 8-SOP-J |
| RoHS |  |
BR93L76FJ-WE2.pdf