Rohm Semiconductor BR93L76RFVT-WE2

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15+ Dhs. 2.13 Dhs. 31.95
25+ Dhs. 2.09 Dhs. 52.25
50+ Dhs. 1.97 Dhs. 98.50
100+ Dhs. 1.74 Dhs. 174.00
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BR93L76RFVT-WE2 - Présentation du circuit intégré de mémoire EEPROM 8 Kbit

Le BR93L76RFVT-WE2 de Rohm Semiconductor est un circuit intégré de mémoire EEPROM non volatile 8 Kbits hautes performances, conçu pour les systèmes embarqués et les applications industrielles. Cette solution de mémoire fiable est dotée d'une interface Microwire avec une fréquence d'horloge de 2 MHz, ce qui la rend idéale pour le stockage de données dans les systèmes à microcontrôleur, l'électronique automobile et les objets connectés.

Principales caractéristiques et avantages

  • Capacité mémoire de 8 Kbits : l’organisation 512 x 16 offre un stockage flexible des données pour les paramètres de configuration, les données d’étalonnage et les paramètres utilisateur.
  • Large plage de tension : fonctionne de 1,8 V à 5,5 V, compatible avec les systèmes 3,3 V et 5 V.
  • Plage de températures industrielles : Fonctionnement fiable de -40 °C à 85 °C (TA) pour les environnements difficiles
  • Interface Microwire : une interface série simple réduit le nombre de broches et simplifie la conception du circuit imprimé.
  • Cycle d'écriture rapide : un temps d'écriture de 5 ms par mot/page garantit des mises à jour de données efficaces.
  • Boîtier compact : le boîtier CMS 8-TSSOP (largeur de 4,40 mm) permet un gain de place sur la carte.
  • Conforme à la norme RoHS : construction écologique et sans plomb

Spécifications techniques

Applications courantes

  • stockage de la configuration du microcontrôleur
  • conservation des données d'étalonnage
  • Paramètres et préférences de l'utilisateur
  • Stockage des numéros de série et d'identification
  • électronique automobile
  • Systèmes de contrôle industriels
  • Électronique grand public
  • IoT et appareils intelligents

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Ressources et assistance techniques

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Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant Rohm Semiconductor
Gamme de produits
Conditionnement Bande et bobine (TR) |
Type de mémoire Non volatil
Format de mémoire EEPROM
Technologie EEPROM
Taille de la mémoire 8 kbits
Organisation de la mémoire 512 x 16
Interface mémoire Microfil
Fréquence d'horloge 2 MHz
Écrire le temps de cycle - Word, Page 5 ms
Temps d'accès -
Tension - Alimentation 1,8 V ~ 5,5 V
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 8-TSSOP (0,173", largeur 4,40 mm)
Emballage du dispositif du fournisseur 8-TSSOP-B
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY