BYTe Semiconductor BY25D10ASOIG(R)
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 0.52 | Dhs. 0.52 |
| 15+ | Dhs. 0.52 | Dhs. 7.80 |
| 25+ | Dhs. 0.50 | Dhs. 12.50 |
| 50+ | Dhs. 0.48 | Dhs. 24.00 |
| 100+ | Dhs. 0.42 | Dhs. 42.00 |
| N+ | Dhs. 0.08 | Price Inquiry |
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Mémoire Flash NOR SPI BY25D10ASOIG(R) de 1 Mbit
Le BY25D10ASOIG(R) de BYTe Semiconductor est un circuit intégré de mémoire Flash NOR 1 Mbit hautes performances doté d'une interface E/S double SPI et d'une fréquence d'horloge de 108 MHz. Il est idéal pour les systèmes embarqués, l'automatisation industrielle, l'électronique automobile et les applications de télécommunications nécessitant un stockage non volatil fiable.
Caractéristiques principales :
- Organisation de la mémoire de 1 Mbit (128 Ko x 8) pour un stockage de données flexible
- L'interface SPI Dual E/S permet des opérations de lecture/écriture rapides.
- Fréquence d'horloge de 108 MHz pour des performances à haute vitesse
- Large plage de tension (2,7 V à 3,6 V) pour une intégration système polyvalente
- Plage de températures industrielles (-40 °C à 85 °C) pour les environnements difficiles
- Temps d'accès de 7 ns et cycle d'écriture de 2,4 ms pour un fonctionnement efficace
- Boîtier TSSOP 8 composants à montage en surface pour circuits imprimés compacts
- Conforme à la directive RoHS pour le respect de l'environnement
Applications :
Idéal pour le stockage du BIOS, les mises à jour du firmware, les données de configuration, le code de démarrage et le stockage des paramètres dans les contrôleurs industriels, les calculateurs automobiles, les équipements de télécommunications et les appareils IoT.
Avantages réservés aux distributeurs agréés :
Nous fournissons des composants BYTe Semiconductor authentiques avec une documentation complète du fabricant, des certificats de traçabilité et un support longue durée pour atténuer les risques d'obsolescence dans vos conceptions critiques.
Spécifications complètes :
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | Semiconducteur BYTe |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande magnétique (TR) | Bande magnétique (TR) |
| Type de mémoire | Non volatil |
| Format de mémoire | ÉCLAIR |
| Technologie | FLASH - NOR |
| Taille de la mémoire | 1 Mbit |
| Organisation de la mémoire | 128K x 8 |
| Interface mémoire | SPI - Double E/S |
| Fréquence d'horloge | 108 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 2,4 ms |
| Temps d'accès | 7 ns |
| Tension - Alimentation | 2,7 V ~ 3,6 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 8-TSSOP (0,173", largeur 4,40 mm) |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 8-TSSOP |
| RoHS |  |
BY25D10ASOIG(R).pdf