BYTe Semiconductor BY25D40ESSIG(T)
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 0.37 | Dhs. 0.37 |
| 15+ | Dhs. 0.34 | Dhs. 5.10 |
| 25+ | Dhs. 0.33 | Dhs. 8.25 |
| 50+ | Dhs. 0.31 | Dhs. 15.50 |
| 100+ | Dhs. 0.28 | Dhs. 28.00 |
| N+ | Dhs. 0.06 | Price Inquiry |
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BY25D40ESSIG(T) - Circuit intégré de mémoire Flash NOR SPI 4 Mbit
Le BY25D40ESSIG(T) de BYTe Semiconductor est un circuit intégré de mémoire Flash NOR SPI 4 Mbit hautes performances, conçu pour les systèmes embarqués exigeant un stockage de données fiable et non volatil. Doté d'une interface SPI double E/S supportant des fréquences d'horloge jusqu'à 120 MHz et une plage de tension de fonctionnement de 2,7 V à 3,6 V, ce composant offre des temps d'accès rapides (7 ns) et une faible consommation d'énergie pour les applications industrielles, automobiles et de télécommunications.
Caractéristiques principales :
- Capacité mémoire : 4 Mbit (organisation 512K x 8)
- Interface : SPI double E/S pour un transfert de données à haut débit
- Fréquence d'horloge : jusqu'à 120 MHz
- Tension de fonctionnement : 2,7 V à 3,6 V
- Plage de température : -40 °C à 85 °C (qualité industrielle)
- Boîtier : 8-SOIC montage en surface (largeur 5,30 mm)
- Accès rapide : temps d’accès de 7 ns, cycle d’écriture de 3,6 ms
Applications :
Idéal pour le stockage du BIOS, les mises à jour du firmware, les données de configuration, le code de démarrage et les applications de systèmes embarqués nécessitant une mémoire non volatile fiable avec un support à long cycle de vie.
Avantages réservés aux distributeurs agréés :
Nous fournissons des composants BYTe Semiconductor 100% authentiques avec une documentation complète du fabricant, des certificats de traçabilité et une disponibilité à long terme pour soutenir vos programmes d'intégration et atténuer les risques d'obsolescence.
Spécifications techniques :
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | Semiconducteur BYTe |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Tube | Tube |
| Type de mémoire | Non volatil |
| Format de mémoire | ÉCLAIR |
| Technologie | FLASH - NOR |
| Taille de la mémoire | 4 Mbit |
| Organisation de la mémoire | 512K x 8 |
| Interface mémoire | SPI - Double E/S |
| Fréquence d'horloge | 120 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 3,6 ms |
| Temps d'accès | 7 ns |
| Tension - Alimentation | 2,7 V ~ 3,6 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 8-SOIC (0,209", largeur 5,30 mm) |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 8-SOP |
| RoHS |  |
BY25D40ESSIG(T).pdf