BYTe Semiconductor BY25FQ128ELSJG(T)

BY25FQ128ELSJG(T) - Mémoire Flash NOR SPI 128 Mbit

Mémoire Flash SPI NOR haute performance de 128 Mbit (16M x 8) de BYTe Semiconductor, conçue pour les applications industrielles, automobiles et aérospatiales nécessitant un stockage non volatil fiable avec une plage de température de fonctionnement étendue.

Caractéristiques principales

• Interface haut débit : prise en charge des E/S quadruples SPI et QPI avec une fréquence d’horloge de 133 MHz.
• Large plage de tension : fonctionnement de 1,65 V à 2 V pour les conceptions basse consommation
• Plage de température industrielle : -40 °C à 105 °C (TA)
• Accès rapide : temps d’accès de 6 ns avec des cycles d’écriture de mots efficaces de 120 µs et de pages de 2,5 ms.
• Boîtier compact : boîtier CMS 8 broches SOIC (largeur 5,30 mm)
• Conforme à la directive RoHS : fabrication respectueuse de l’environnement et sans plomb

Applications

Idéal pour les systèmes embarqués, les appareils IoT, l'électronique automobile, les contrôleurs industriels et les équipements de télécommunications nécessitant un stockage de code fiable, l'enregistrement de données ou des mises à jour de micrologiciel.

Qualité et authenticité

Tous les produits proviennent de distributeurs agréés et sont accompagnés de la documentation complète du fabricant, d'une traçabilité totale et d'un support technique tout au long du cycle de vie. Ils sont parfaitement adaptés aux applications intégrées nécessitant un approvisionnement constant et un support technique permanent.

Spécifications techniques complètes

• BY25FQ128ELSJG(T).pdf