BYTe Semiconductor BY25FQ128ELTIG(R)
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 2.25 | Dhs. 2.25 |
| 15+ | Dhs. 2.17 | Dhs. 32.55 |
| 25+ | Dhs. 2.12 | Dhs. 53.00 |
| 50+ | Dhs. 2.01 | Dhs. 100.50 |
| 100+ | Dhs. 1.77 | Dhs. 177.00 |
| N+ | Dhs. 0.35 | Price Inquiry |
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BY25FQ128ELTIG(R) - Circuit intégré de mémoire flash NOR 128 Mbit
Mémoire Flash NOR haute performance de 128 Mbit de BYTe Semiconductor, conçue pour les applications aérospatiales, automobiles, industrielles et de télécommunications nécessitant un stockage non volatil fiable avec des temps d'accès rapides et une faible consommation d'énergie.
Caractéristiques principales
- Haute densité : capacité de mémoire de 128 Mbit (16 M x 8)
- Performances rapides : fréquence d’horloge de 133 MHz avec un temps d’accès de 6 ns
- Interface flexible : prise en charge des E/S quadruples SPI et QPI pour une intégration système polyvalente
- Faible consommation : tension d'alimentation de 1,65 V à 2 V pour un fonctionnement écoénergétique
- Qualité industrielle : plage de températures de fonctionnement de -40 °C à 85 °C
- Boîtier compact : montage en surface 8-SOIC pour les conceptions à espace restreint
- Conforme à la directive RoHS : Fabrication respectueuse de l'environnement
Applications
Idéal pour les systèmes embarqués, le stockage de firmware, l'enregistrement de données, les appareils IoT, l'électronique automobile et les systèmes de contrôle industriels nécessitant une mémoire non volatile fiable et rapide avec un support à long terme.
Assurance qualité
Provenant de distributeurs agréés, chaque unité est livrée avec la documentation complète du fabricant, une traçabilité et une garantie d'authenticité. Elle est accompagnée de fiches techniques complètes et de certificats de conformité.
Spécifications techniques complètes
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | Semiconducteur BYTe |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande magnétique (TR) | Bande magnétique (TR) |
| Type de mémoire | Non volatil |
| Format de mémoire | ÉCLAIR |
| Technologie | FLASH - NOR |
| Taille de la mémoire | 128 Mbit |
| Organisation de la mémoire | 16M x 8 |
| Interface mémoire | SPI - Quad E/S, QPI |
| Fréquence d'horloge | 133 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 120 µs, 2,5 ms |
| Temps d'accès | 6 ns |
| Tension - Alimentation | 1,65 V ~ 2 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 8-SOIC (0,154", largeur 3,90 mm) |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 8-SOP |
| RoHS |  |
BY25FQ128ELTIG(R).pdf