BYTe Semiconductor BY25FQ16ELOIG(R)

BY25FQ16ELOIG(R) - Mémoire Flash NOR SPI 16 Mbit

Le BY25FQ16ELOIG(R) de BYTe Semiconductor est un circuit intégré de mémoire Flash NOR 16 Mbit hautes performances doté d'une interface SPI à quatre E/S avec prise en charge DTR. Fonctionnant à une fréquence d'horloge maximale de 166 MHz avec une tension d'alimentation de 1,8 V (1,65 V - 1,95 V), cette solution mémoire offre un temps d'accès rapide de 4 ns et supporte une plage de températures de fonctionnement étendue de -40 °C à 85 °C.

Caractéristiques principales :

• Capacité de mémoire flash NOR de 16 Mbit (2 Mo x 8)
• Prise en charge des interfaces SPI Quad I/O, QPI et DTR
• Fréquence d'horloge haute vitesse de 166 MHz avec un temps d'accès de 4 ns
• Fonctionnement à basse tension 1,8 V (1,65 V à 1,95 V)
• Plage de températures industrielles : -40 °C à 85 °C
• Boîtier TSSOP 8 composants pour montage en surface
• Conforme à la directive RoHS

Applications : Idéal pour les systèmes embarqués, l'électronique automobile, le contrôle industriel, les équipements de télécommunications et les appareils IoT nécessitant un stockage non volatil fiable avec des performances de lecture rapides et une faible consommation d'énergie.

Distributeur agréé : Nous fournissons des composants BYTe Semiconductor authentiques avec une documentation complète du fabricant, une traçabilité et un support à long terme pour limiter les risques d’obsolescence.

Spécifications techniques

• BY25FQ16ELOIG(R).pdf