BYTe Semiconductor BY25FQ256ESSIG(T)

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25+ Dhs. 5.53 Dhs. 138.25
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BY25FQ256ESSIG(T) - Mémoire Flash NOR haute performance de 256 Mbit

La mémoire flash NOR BY25FQ256ESSIG(T) de BYTe Semiconductor est une solution haute densité et hautes performances de 256 Mbits, conçue pour les applications exigeantes des secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, de l'industrie et des télécommunications. Ce composant intègre une interface d'E/S quadruple SPI avancée avec prise en charge QPI et DTR, offrant des performances de lecture/écriture exceptionnelles à une fréquence d'horloge de 166 MHz.

Principales caractéristiques et avantages

  • Stockage haute densité : l’organisation de la mémoire de 256 Mbits (32 Mo x 8) offre une capacité suffisante pour le micrologiciel, le stockage de code et l’enregistrement de données.
  • Performances rapides : une fréquence d'horloge de 166 MHz avec un temps d'accès de 5 ns garantit une récupération rapide des données et une réactivité système optimale.
  • Interface flexible : les modes SPI Quad I/O, QPI et DTR prennent en charge diverses exigences d’intégration système
  • Large plage de fonctionnement : tension d’alimentation de 2,7 V à 3,6 V et plage de température de -40 °C à 85 °C pour une fiabilité de niveau industriel
  • Encombrement réduit : le boîtier CMS SOIC 8 broches (largeur de 5,30 mm) optimise l'utilisation de l'espace sur la carte.
  • Conforme à la norme RoHS : Conception respectueuse de l'environnement et conforme aux normes réglementaires internationales

Applications

Idéal pour le stockage de la configuration FPGA, le firmware des systèmes embarqués, les systèmes de contrôle industriels, l'électronique automobile, les équipements de télécommunications et les appareils IoT nécessitant une mémoire non volatile fiable avec un support à long cycle de vie.

Spécifications techniques complètes

Pourquoi choisir notre distributeur agréé ?

Nous fournissons des composants BYTe Semiconductor 100 % authentiques, accompagnés de la documentation complète du fabricant, des certificats de traçabilité et d'un support technique à long terme. Notre stock provient directement de circuits de distribution agréés, garantissant ainsi l'authenticité et la fiabilité de nos produits pour vos applications critiques.

Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant Semiconducteur BYTe
Gamme de produits
Conditionnement Tube | Tube
Type de mémoire Non volatil
Format de mémoire ÉCLAIR
Technologie FLASH - NOR
Taille de la mémoire 256 Mbits
Organisation de la mémoire 32M x 8
Interface mémoire SPI - Quad E/S, QPI, DTR
Fréquence d'horloge 166 MHz
Écrire le temps de cycle - Word, Page 100 µs, 2,4 ms
Temps d'accès 5 ns
Tension - Alimentation 2,7 V ~ 3,6 V
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 8-SOIC (0,209", largeur 5,30 mm)
Emballage du dispositif du fournisseur 8-SOP
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY