BYTe Semiconductor BY25FQ256ESWIG(R)

BY25FQ256ESWIG(R) - Mémoire Flash NOR 256 Mbit

Mémoire Flash NOR 256 Mbit haute performance de BYTe Semiconductor, dotée d'une interface Quad SPI avec prise en charge DTR, pour les applications exigeantes des secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, de l'industrie et des télécommunications. Ce composant authentique est fourni avec une documentation complète du fabricant et une traçabilité assurée.

Caractéristiques principales :

• Haute densité : organisation de la mémoire de 256 Mbit (32 Mo x 8).
• Performances rapides : fréquence d’horloge de 166 MHz avec un temps d’accès de 5 ns
• Interface avancée : prise en charge des E/S quadruples SPI, QPI et DTR
• Large plage de fonctionnement : alimentation de 2,7 V à 3,6 V, plage de température de -40 °C à 85 °C
• Boîtier compact : connecteur CMS 8-WSON (5 x 6 mm) avec pastille exposée
• Qualité industrielle : Convient aux applications critiques

Applications :

Idéal pour le stockage de code, l'enregistrement de données, les mises à jour de firmware et les systèmes embarqués nécessitant une mémoire non volatile fiable avec des performances de lecture rapides et une faible consommation d'énergie.

Spécifications techniques complètes :

Assurance qualité:

Tous les composants proviennent de distributeurs agréés et bénéficient d'une traçabilité et d'une documentation complètes du fabricant. Conformes à la directive RoHS. Un engagement sur le long terme garantit leur disponibilité pour vos conceptions critiques.

• BY25FQ256ESWIG(R).pdf