BYTe Semiconductor BY25FQ32ELSJG(T)

Passer aux informations produits
1 de 1
Image shown is a representation only. Exact specifications should be obtained from the product data sheet.
Prix habituel Dhs. 1.01
Prix habituel Dhs. 1.05 Prix promotionnel Dhs. 1.01
Promotion Épuisé
Quantity Unit Price Total Price
1 Dhs. 1.01 Dhs. 1.01
15+ Dhs. 0.97 Dhs. 14.55
25+ Dhs. 0.95 Dhs. 23.75
50+ Dhs. 0.89 Dhs. 44.50
100+ Dhs. 0.79 Dhs. 79.00
N+ Dhs. 0.16 Price Inquiry
Frais d'expédition calculés à l'étape de paiement.
Quantité
Component Recycling

Request Quote / Inquiry

Mémoire Flash NOR SPI BYTe BY25FQ32ELSJG(T) de 32 Mbits

Le BY25FQ32ELSJG(T) est un circuit intégré de mémoire Flash NOR 32 Mbit hautes performances de BYTe Semiconductor, conçu pour les applications exigeantes des secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, de l'industrie et des télécommunications. Ce composant authentique est doté d'une interface SPI à quatre entrées/sorties avec une fréquence d'horloge de 133 MHz, offrant un stockage non volatil fiable dans un boîtier compact SOIC 8 broches pour montage en surface.

Caractéristiques principales

  • Performances haute vitesse : fréquence d’horloge de 133 MHz avec un temps d’accès de 7 ns pour une récupération rapide des données.
  • Fonctionnement à faible consommation : tension d’alimentation de 1,65 V à 2 V pour des conceptions écoénergétiques
  • Plage de températures étendue : fonctionnement de -40 °C à +105 °C pour les environnements difficiles
  • Interface flexible : SPI avec prise en charge des E/S quadruples et du QPI pour une intégration système polyvalente.
  • Approvisionnement authentique : stock de semi-conducteurs BYTe authentiques avec documentation complète du fabricant et traçabilité.

Applications

Idéal pour le stockage de firmware, de code de démarrage, de données de configuration et pour les applications de systèmes embarqués nécessitant des solutions de mémoire non volatile fiables et à longue durée de vie.

Spécifications techniques complètes

Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant Semiconducteur BYTe
Gamme de produits
Conditionnement Tube | Tube
Type de mémoire Non volatil
Format de mémoire ÉCLAIR
Technologie FLASH - NOR
Taille de la mémoire 32 Mbits
Organisation de la mémoire 4M x 8
Interface mémoire SPI - Quad E/S, QPI
Fréquence d'horloge 133 MHz
Écrire le temps de cycle - Word, Page 100 µs, 1,5 ms
Temps d'accès 7 ns
Tension - Alimentation 1,65 V ~ 2 V
Température de fonctionnement -40°C ~ 105°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 8-SOIC (0,209", largeur 5,30 mm)
Emballage du dispositif du fournisseur 8-SOP
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY