BYTe Semiconductor BY25FQ32ELTJG(T)

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BYTe BY25FQ32ELTJG(T) - Circuit intégré de mémoire flash NOR 32 Mbit

La BY25FQ32ELTJG(T) est une solution de mémoire Flash NOR 32 Mbit hautes performances de BYTe Semiconductor, conçue pour les applications exigeantes des secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, de l'industrie et des télécommunications. Ce circuit intégré de mémoire non volatile est doté d'interfaces SPI Quad I/O et QPI, offrant un stockage de données fiable avec des temps d'accès rapides et une large plage de températures de fonctionnement.

Principales caractéristiques et avantages

  • Stockage haute densité : l’organisation de la mémoire de 32 Mbits (4 Mo x 8) offre une capacité suffisante pour le stockage du micrologiciel, des données de configuration et du code.
  • Performances rapides : une fréquence d'horloge de 133 MHz avec un temps d'accès de 7 ns garantit une récupération rapide des données.
  • Interface flexible : la prise en charge des E/S quadruples SPI et QPI permet une intégration système polyvalente.
  • Large plage de tension : une tension d’alimentation de 1,65 V à 2 V optimise l’efficacité énergétique.
  • Plage de températures industrielles : un fonctionnement de -40 °C à 105 °C garantit une fiabilité optimale même dans des environnements difficiles.
  • Boîtier compact : le boîtier CMS SOIC à 8 broches (largeur de 3,90 mm) permet un gain de place sur la carte.
  • Conforme à la directive RoHS : répond aux normes environnementales pour un déploiement mondial

Applications

Idéal pour les systèmes embarqués, les appareils IoT, l'électronique automobile, les contrôleurs industriels, les équipements médicaux et les infrastructures de télécommunications nécessitant une mémoire non volatile fiable avec un support à long terme.

Garantie de qualité et d'authenticité

Provenant de distributeurs agréés, chaque unité est livrée avec une documentation complète du fabricant, une traçabilité totale et un engagement de disponibilité à long terme. Elle est accompagnée de fiches techniques complètes et de certificats de conformité.

Spécifications techniques complètes

Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant Semiconducteur BYTe
Gamme de produits
Conditionnement Tube | Tube
Type de mémoire Non volatil
Format de mémoire ÉCLAIR
Technologie FLASH - NOR
Taille de la mémoire 32 Mbits
Organisation de la mémoire 4M x 8
Interface mémoire SPI - Quad E/S, QPI
Fréquence d'horloge 133 MHz
Écrire le temps de cycle - Word, Page 100 µs, 1,5 ms
Temps d'accès 7 ns
Tension - Alimentation 1,65 V ~ 2 V
Température de fonctionnement -40°C ~ 105°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 8-SOIC (0,154", largeur 3,90 mm)
Emballage du dispositif du fournisseur 8-SOP
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY