BYTe Semiconductor BY25FQ32ELUIG(R)

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15+ Dhs. 1.07 Dhs. 16.05
25+ Dhs. 1.04 Dhs. 26.00
50+ Dhs. 0.99 Dhs. 49.50
100+ Dhs. 0.87 Dhs. 87.00
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Présentation du produit

Le BY25FQ32ELUIG(R) est un circuit intégré de mémoire Flash NOR 32 Mbit hautes performances de BYTe Semiconductor, conçu pour les applications exigeantes des secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, de l'industrie et des télécommunications. Ce composant authentique est doté d'une interface d'E/S quadruple SPI avec prise en charge QPI, offrant un stockage non volatil fiable avec une vitesse et une endurance exceptionnelles.

Caractéristiques principales

  • Performances haute vitesse : fréquence d’horloge de 133 MHz avec un temps d’accès de 7 ns pour une récupération rapide des données.
  • Interface flexible : prise en charge des E/S quadruples SPI et QPI pour une intégration système polyvalente
  • Fonctionnement à faible consommation : tension d’alimentation de 1,65 V à 2 V pour des conceptions écoénergétiques
  • Plage de températures industrielles : fonctionnement de -40 °C à 85 °C pour les environnements difficiles
  • Boîtier compact : le boîtier CMS 8-USON (2 x 3 mm) permet de gagner de la place sur la carte.
  • Authenticité garantie : Provenant de distributeurs agréés, avec documentation complète du fabricant et traçabilité assurée.

Applications

Idéal pour les systèmes embarqués, le stockage de firmware, l'enregistrement de données, les appareils IoT, l'électronique automobile, les contrôleurs industriels et les équipements de télécommunications nécessitant une mémoire non volatile fiable avec un support à long terme.

Spécifications techniques complètes

Assurance qualité

Chaque unité BY25FQ32ELUIG(R) provient de distributeurs agréés BYTe Semiconductor, garantissant une authenticité à 100 %, une documentation complète du fabricant, une traçabilité et une disponibilité à long terme. Conforme à la directive RoHS pour le respect de l'environnement.

Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant Semiconducteur BYTe
Gamme de produits
Conditionnement Bande magnétique (TR) | Bande magnétique (TR)
Type de mémoire Non volatil
Format de mémoire ÉCLAIR
Technologie FLASH - NOR
Taille de la mémoire 32 Mbits
Organisation de la mémoire 4M x 8
Interface mémoire SPI - Quad E/S, QPI
Fréquence d'horloge 133 MHz
Écrire le temps de cycle - Word, Page 100 µs, 1,5 ms
Temps d'accès 7 ns
Tension - Alimentation 1,65 V ~ 2 V
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui Coussinet exposé 8-UFDFN
Emballage du dispositif du fournisseur 8-USON (2x3)
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY