BYTe Semiconductor BY25FQ64ELTIG(T)

Passer aux informations produits
1 de 1
Image shown is a representation only. Exact specifications should be obtained from the product data sheet.
Prix habituel Dhs. 1.35
Prix habituel Dhs. 1.42 Prix promotionnel Dhs. 1.35
Promotion Épuisé
Quantity Unit Price Total Price
1 Dhs. 1.35 Dhs. 1.35
15+ Dhs. 1.31 Dhs. 19.65
25+ Dhs. 1.28 Dhs. 32.00
50+ Dhs. 1.21 Dhs. 60.50
100+ Dhs. 1.07 Dhs. 107.00
N+ Dhs. 0.21 Price Inquiry
Frais d'expédition calculés à l'étape de paiement.
Quantité
Component Recycling

Request Quote / Inquiry

BY25FQ64ELTIG(T) - Circuit intégré de mémoire flash NOR 64 Mbit

Le BY25FQ64ELTIG(T) de BYTe Semiconductor est un circuit intégré de mémoire Flash NOR 64 Mbit hautes performances, conçu pour les systèmes embarqués nécessitant un stockage non volatil fiable. Doté d'interfaces SPI Quad I/O et QPI avec une fréquence d'horloge de 133 MHz, ce circuit intégré offre des performances de lecture/écriture rapides dans un boîtier CMS 8 broches SOIC compact.

Caractéristiques principales :

  • Capacité de mémoire flash NOR de 64 Mbit (8 Mo x 8).
  • Interface SPI Quad E/S et QPI pour transfert de données à haut débit
  • Fréquence d'horloge maximale de 133 MHz avec un temps d'accès de 7 ns
  • Fonctionnement basse tension : plage d'alimentation de 1,65 V à 2 V
  • Plage de températures industrielles : -40 °C à 85 °C
  • Boîtier compact 8-SOIC (largeur 3,90 mm) pour montage en surface
  • Conforme à la directive RoHS pour la sécurité environnementale

Applications : Idéal pour l'électronique automobile, les systèmes de contrôle industriels, les équipements de télécommunications, les appareils IoT et les applications aérospatiales nécessitant un support à long terme et une traçabilité complète du fabricant.

Distributeur agréé : Nous fournissons des composants BYTe Semiconductor authentiques avec une documentation complète, des garanties d’authenticité et une livraison mondiale via des canaux agréés.

Spécifications techniques complètes

Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant Semiconducteur BYTe
Gamme de produits
Conditionnement Tube | Tube
Type de mémoire Non volatil
Format de mémoire ÉCLAIR
Technologie FLASH - NOR
Taille de la mémoire 64 Mbits
Organisation de la mémoire 8M x 8
Interface mémoire SPI - Quad E/S, QPI
Fréquence d'horloge 133 MHz
Écrire le temps de cycle - Word, Page 500 µs, 2,5 ms
Temps d'accès 7 ns
Tension - Alimentation 1,65 V ~ 2 V
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 8-SOIC (0,154", largeur 3,90 mm)
Emballage du dispositif du fournisseur 8-SOP
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY