BYTe Semiconductor BY25FQ64ELWIG(R)

BY25FQ64ELWIG(R) - Circuit intégré de mémoire Flash NOR 64 Mbit

Mémoire Flash NOR 64 Mbit haute performance de BYTe Semiconductor, dotée d'interfaces SPI Quad I/O et QPI pour les applications exigeantes des secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, de l'industrie et des télécommunications. Ce composant authentique est fourni avec la documentation complète du fabricant et un certificat de traçabilité.

Caractéristiques principales :

• Capacité mémoire : 64 Mbit (organisation 8M x 8)
• Interface : SPI Quad E/S, QPI pour transfert de données à haut débit
• Fréquence d'horloge : 133 MHz maximum
• Tension d'alimentation : 1,65 V à 2 V (1,8 V nominal)
• Température de fonctionnement : -40 °C à 85 °C (qualité industrielle)
• Temps d'accès : 7 ns pour les opérations de lecture rapides
• Boîtier : 8 connecteurs WSON (5 x 6 mm) à montage en surface avec pastille exposée
• Performances d'écriture : 500 µs par mot, 2,5 ms par page

Applications :

Idéal pour le stockage de configurations FPGA, les systèmes embarqués, les contrôleurs industriels, les calculateurs automobiles, les équipements de télécommunications et les appareils IoT nécessitant une mémoire non volatile fiable avec une plage de températures étendue et une longue durée de vie.

Spécifications techniques complètes :

Authenticité garantie : tous les composants proviennent directement de distributeurs agréés et sont accompagnés de la documentation complète du fabricant, des certificats de traçabilité et d’un engagement sur le long terme. Conforme à la norme RoHS.

• BY25FQ64ELWIG(R).pdf