BYTe Semiconductor BY25FQ64ESTIG(R)
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 1.05 | Dhs. 1.05 |
| 15+ | Dhs. 1.00 | Dhs. 15.00 |
| 25+ | Dhs. 0.98 | Dhs. 24.50 |
| 50+ | Dhs. 0.93 | Dhs. 46.50 |
| 100+ | Dhs. 0.82 | Dhs. 82.00 |
| N+ | Dhs. 0.16 | Price Inquiry |
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BY25FQ64ESTIG(R) - Mémoire Flash NOR SPI 64 Mbit
La BY25FQ64ESTIG(R) est une mémoire Flash NOR série haute performance de 64 Mbit (8M x 8) de BYTe Semiconductor, conçue pour les applications industrielles, automobiles et embarquées exigeantes nécessitant un stockage non volatil fiable avec des performances de lecture/écriture rapides.
Caractéristiques principales
- Interface haut débit : prise en charge des E/S quadruples SPI, QPI et DTR avec une fréquence d’horloge de 166 MHz pour un accès rapide aux données
- Plage de températures industrielles : Fonctionne de manière fiable de -40 °C à 85 °C pour les environnements difficiles.
- Performances rapides : temps d’accès de 5 ns avec des cycles d’écriture de mots de 300 µs et de pages de 2,4 ms.
- Large plage de tension : tension d’alimentation de 2,7 V à 3,6 V pour une intégration système flexible
- Montage en surface compact : Boîtier SOIC 8 broches peu encombrant (largeur de 3,90 mm)
- Conforme à la directive RoHS : respectueux de l'environnement et conforme aux normes internationales
Applications
Idéal pour le stockage du BIOS/firmware, la duplication de code, l'enregistrement de données, le stockage de configuration dans les contrôleurs industriels, les calculateurs automobiles, les appareils IoT et les systèmes embarqués nécessitant une conservation des données à long terme.
Pourquoi choisir des stocks autorisés ?
Nous fournissons exclusivement des composants BYTe Semiconductor authentiques, accompagnés de la documentation complète du fabricant, d'une traçabilité optimale et d'un support technique étendu. Chaque unité est livrée dans son emballage d'origine en bande et bobine, avec les fiches techniques complètes et les certificats de conformité.
Spécifications techniques complètes
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | Semiconducteur BYTe |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande magnétique (TR) | Bande magnétique (TR) |
| Type de mémoire | Non volatil |
| Format de mémoire | ÉCLAIR |
| Technologie | FLASH - NOR |
| Taille de la mémoire | 64 Mbits |
| Organisation de la mémoire | 8M x 8 |
| Interface mémoire | SPI - Quad E/S, QPI, DTR |
| Fréquence d'horloge | 166 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 300 µs, 2,4 ms |
| Temps d'accès | 5 ns |
| Tension - Alimentation | 2,7 V ~ 3,6 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 8-SOIC (0,154", largeur 3,90 mm) |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 8-SOP |
| RoHS |  |
BY25FQ64ESTIG(R).pdf