BYTe Semiconductor BY25FQM1GESEIG(R)
Prix habituel
Dhs. 50.76
Prix habituel
Dhs. 53.42
Prix promotionnel
Dhs. 50.76
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 50.76 | Dhs. 50.76 |
| 15+ | Dhs. 49.15 | Dhs. 737.25 |
| 25+ | Dhs. 48.08 | Dhs. 1,202.00 |
| 50+ | Dhs. 45.41 | Dhs. 2,270.50 |
| 100+ | Dhs. 40.07 | Dhs. 4,007.00 |
| N+ | Dhs. 8.01 | Price Inquiry |
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BY25FQM1GESEIG(R) - Mémoire Flash NOR haute performance de 1 Gbit
Solution de mémoire flash BYTe Semiconductor authentique, conçue pour les applications exigeantes des secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, de l'industrie et des télécommunications. Ce dispositif flash NOR de 1 Gbit offre des performances exceptionnelles grâce à son interface SPI Quad E/S et sa compatibilité DTR, et fonctionne de manière fiable sur une large plage de températures.
Principales caractéristiques et avantages
- Stockage haute densité : organisation de la mémoire de 1 Gbit (128 Mo x 8) pour les systèmes embarqués complexes
- Performances rapides : fréquence d’horloge de 133 MHz avec un temps d’accès de 7 ns pour une récupération rapide des données.
- Interface flexible : modes SPI Quad E/S, QPI et DTR pour un débit optimisé
- Qualité industrielle : plage de températures de fonctionnement de -40 °C à 85 °C pour les environnements difficiles
- Format compact : boîtier CMS 8-DFN (6 x 8 mm) avec pastille thermique exposée pour la gestion thermique
- Large plage de tension : tension d’alimentation de 2,7 V à 3,6 V pour une plus grande flexibilité du système
- Authenticité garantie : Directement des distributeurs agréés avec documentation complète du fabricant et traçabilité.
Spécifications techniques
Applications
- Systèmes aérospatiaux et de défense
- Électronique automobile (ADAS, infodivertissement)
- Automatisation et contrôle industriels
- Infrastructure de télécommunications
- Dispositifs médicaux
- IoT et systèmes embarqués
Assurance qualité
Chaque unité provient de distributeurs agréés de BYTe Semiconductor et est accompagnée d'une documentation complète du fabricant, garantissant ainsi l'authenticité, la traçabilité et la disponibilité à long terme du produit pour les applications critiques d'intégration.
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | Semiconducteur BYTe |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande magnétique (TR) | Bande magnétique (TR) |
| Type de mémoire | Non volatil |
| Format de mémoire | ÉCLAIR |
| Technologie | FLASH - NOR |
| Taille de la mémoire | 1 Gbit |
| Organisation de la mémoire | 128M x 8 |
| Interface mémoire | SPI - Quad E/S, QPI, DTR |
| Fréquence d'horloge | 133 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 150 µs, 2,4 ms |
| Temps d'accès | 7 ns |
| Tension - Alimentation | 2,7 V ~ 3,6 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | Plaque exposée 8-VDFN |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 8-DFN (6x8) |
| RoHS |  |
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