BYTe Semiconductor BY25Q128ESFIG(R)

BY25Q128ESFIG(R) - Mémoire Flash NOR SPI 128 Mbit

Le BY25Q128ESFIG® de BYTe Semiconductor est un circuit intégré de mémoire Flash NOR SPI 128 Mbit hautes performances, conçu pour les applications exigeantes des secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, de l'industrie et des télécommunications. Ce composant authentique est doté d'une interface SPI à quatre E/S avec une fréquence d'horloge de 120 MHz, offrant un stockage non volatil fiable dans un boîtier compact SOIC 16 broches pour montage en surface.

Principales caractéristiques et avantages

• Performances haute vitesse : fréquence d’horloge de 120 MHz avec un temps d’accès de 7,5 ns pour une récupération rapide des données.
• Interface flexible : interface SPI Quad E/S (organisation 16 M x 8) pour une intégration système polyvalente
• Large plage de fonctionnement : tension d’alimentation de 2,7 V à 3,6 V, plage de température de -40 °C à 85 °C
• Stockage fiable : mémoire flash NOR de 128 Mbits (16 Mo) avec un temps d’écriture de 60 µs par mot et un temps d’écriture de 2,4 ms par page.
• Boîtier standard industriel : boîtier SOIC 16 broches (largeur 7,50 mm) à montage en surface pour assemblage automatisé
• Stock autorisé : Composants BYTe Semiconductor authentiques avec documentation et traçabilité complètes du fabricant

Applications

Idéal pour le stockage de firmware, de code de démarrage, de données de configuration et pour les applications de systèmes embarqués nécessitant des solutions de mémoire non volatile fiables et à longue durée de vie.

Spécifications techniques complètes

• BY25Q128ESFIG(R).pdf