BYTe Semiconductor BY25Q16BLTIG(R)
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 0.67 | Dhs. 0.67 |
| 15+ | Dhs. 0.65 | Dhs. 9.75 |
| 25+ | Dhs. 0.64 | Dhs. 16.00 |
| 50+ | Dhs. 0.60 | Dhs. 30.00 |
| 100+ | Dhs. 0.53 | Dhs. 53.00 |
| N+ | Dhs. 0.11 | Price Inquiry |
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BY25Q16BLTIG(R) - Circuit intégré de mémoire Flash NOR SPI 16 Mbit
Le BY25Q16BLTIG® de BYTe Semiconductor est un circuit intégré de mémoire Flash NOR SPI 16 Mbit hautes performances, conçu pour les systèmes embarqués exigeant un stockage non volatil et fiable. Doté d'une interface SPI à quatre E/S prenant en charge une fréquence d'horloge jusqu'à 108 MHz et une tension de fonctionnement ultra-basse de 1,65 à 2 V, ce circuit intégré offre des performances exceptionnelles pour les applications industrielles, automobiles et IoT.
Caractéristiques principales :
- Capacité de mémoire flash NOR de 16 Mbit (2 Mo x 8)
- Interface SPI Quad E/S avec une fréquence d'horloge maximale de 108 MHz
- Fonctionnement à très basse tension : plage d’alimentation de 1,65 V à 2 V
- Temps d'accès rapide de 8 ns pour une récupération de données ultra-rapide
- Plage de températures industrielles : -40 °C à 85 °C
- Boîtier SOIC 8 composants à montage en surface pour des conceptions compactes
- Conforme à la directive RoHS pour le respect de l'environnement
Applications : Stockage de microprogrammes embarqués, code BIOS/de démarrage, enregistrement de données, stockage de configuration, systèmes de contrôle industriels, électronique automobile et dispositifs IoT nécessitant une mémoire non volatile fiable.
Distributeur agréé : documentation complète du fabricant, traçabilité et assistance garantie incluses avec chaque commande.
Spécifications techniques complètes
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | Semiconducteur BYTe |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande magnétique (TR) | Bande magnétique (TR) |
| Type de mémoire | Non volatil |
| Format de mémoire | ÉCLAIR |
| Technologie | FLASH - NOR |
| Taille de la mémoire | 16 Mbits |
| Organisation de la mémoire | 2M x 8 |
| Interface mémoire | SPI - Quad E/S |
| Fréquence d'horloge | 108 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 3 ms, 3 ms |
| Temps d'accès | 8 ns |
| Tension - Alimentation | 1,65 V ~ 2 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 8-SOIC (0,154", largeur 3,90 mm) |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 8-SOP |
| RoHS |  |
BY25Q16BLTIG(R).pdf