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Infineon CY15B004J-SXAT - Mémoire F-RAM 4 Kbits de qualité automobile

La CY15B004J-SXAT est une mémoire vive ferroélectrique (F-RAM) 4 Kbit hautes performances d'Infineon Technologies, spécialement conçue pour les applications automobiles et industrielles exigeant un stockage de données non volatiles et fiable. Ce composant qualifié AEC-Q100 combine la rapidité d'écriture de la RAM avec la non-volatilité de l'EEPROM, ce qui le rend idéal pour les systèmes embarqués critiques.

Spécifications techniques

Principales caractéristiques et avantages

  • Fiabilité de qualité automobile : conforme à la norme AEC-Q100 pour les environnements automobiles exigeants avec une plage de températures étendue (-40 °C à 85 °C).
  • Performances d'écriture rapides : endurance en écriture pratiquement illimitée (10^14 cycles) sans délai d'écriture, éliminant le besoin de tampons de page.
  • Faible consommation d'énergie : Idéal pour les applications alimentées par batterie et économes en énergie
  • Interface I2C : interface série standard fonctionnant à 1 MHz pour une intégration facile
  • Stockage non volatil : conservation des données sans alimentation électrique pendant plus de 10 ans à 85 °C
  • Conforme à la norme RoHS : construction écologique et sans plomb
  • Boîtier SOIC 8 broches compact : conception à montage en surface peu encombrante pour les circuits imprimés haute densité

Applications typiques

  • calculateurs automobiles et modules de commande de carrosserie
  • Systèmes d'automatisation et de contrôle industriels
  • Compteurs intelligents et gestion de l'énergie
  • Dispositifs médicaux nécessitant l'enregistrement de données
  • Dispositifs et capteurs IoT en périphérie du réseau
  • stockage des données de configuration et d'étalonnage
  • Applications de compteurs d'événements et d'enregistrement de données

Pourquoi choisir la technologie F-RAM ?

La mémoire F-RAM (mémoire vive ferroélectrique) offre une combinaison unique d'avantages que les mémoires EEPROM et Flash traditionnelles ne peuvent égaler. Avec des vitesses d'écriture comparables à celles de la SRAM, une endurance quasi illimitée et une véritable conservation non volatile des données, la F-RAM est le choix idéal pour les applications exigeant des mises à jour fréquentes des données, une faible latence et une fiabilité à long terme. La qualification automobile de la CY15B004J-SXAT garantit sa conformité aux exigences rigoureuses des systèmes critiques pour la sécurité.

Approvisionnement authentique et assurance qualité

Chez HQICKEY, nous garantissons l'authenticité à 100 % des composants Infineon, avec une traçabilité complète et les garanties du fabricant. Nos processus de contrôle qualité rigoureux vous assurent de recevoir des pièces neuves, d'origine, pour vos applications critiques.


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Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant Technologies Infineon
Gamme de produits F-RAM™
Conditionnement Bande et bobine (TR) |
Type de mémoire Non volatil
Format de mémoire CADRE
Technologie FRAM (RAM ferroélectrique)
Taille de la mémoire 4Kbit
Organisation de la mémoire 512 x 8
Interface mémoire I2C
Fréquence d'horloge 1 MHz
Écrire le temps de cycle - Word, Page -
Temps d'accès -
Tension - Alimentation 2,7 V ~ 3,65 V
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA)
Grade Automobile
Qualification AEC-Q100
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 8-SOIC (0,154", largeur 3,90 mm)
Emballage du dispositif du fournisseur 8-SOIC
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY