Infineon Technologies CY15B004Q-SXAT
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 4.98 | Dhs. 4.98 |
| 15+ | Dhs. 4.82 | Dhs. 72.30 |
| 25+ | Dhs. 4.72 | Dhs. 118.00 |
| 50+ | Dhs. 4.45 | Dhs. 222.50 |
| 100+ | Dhs. 3.93 | Dhs. 393.00 |
| N+ | Dhs. 0.79 | Price Inquiry |
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Infineon CY15B004Q-SXAT - Circuit intégré de mémoire F-RAM de qualité automobile
La mémoire CY15B004Q-SXAT d'Infineon Technologies est une mémoire F-RAM (Ferroelectric RAM) 4 Kbit haute fiabilité, conçue pour les applications automobiles, industrielles et embarquées exigeantes. Cette solution de mémoire non volatile combine la vitesse de la SRAM avec la rétention des données de l'EEPROM, offrant une endurance en écriture quasi illimitée et une capacité d'écriture instantanée sans nécessiter de tampon de page.
Principales caractéristiques et avantages
- Performances d'écriture rapides : Opérations d'écriture instantanées à pleine vitesse du bus, sans délai d'écriture.
- Endurance illimitée : 100 000 milliards (10¹⁴) de cycles de lecture/écriture – idéal pour l’enregistrement de données et les mises à jour fréquentes
- Faible consommation d'énergie : Consommation d'énergie nettement inférieure à celle d'une EEPROM lors des opérations d'écriture
- Conforme aux normes automobiles : Certification AEC-Q100 pour la fiabilité automobile
- Large plage de fonctionnement : plage de températures de -40 °C à 85 °C pour les environnements difficiles
- Interface standard du secteur : interface série SPI à 16 MHz pour une intégration facile
Spécifications techniques
Applications
- calculateurs automobiles et modules de commande de carrosserie
- Systèmes d'automatisation et de contrôle industriels
- Compteurs intelligents et gestion de l'énergie
- Dispositifs médicaux nécessitant l'intégrité des données
- Dispositifs périphériques IoT et nœuds de capteurs
- stockage des données de configuration et d'étalonnage
Pourquoi choisir la technologie F-RAM ?
La mémoire vive ferroélectrique (FRAM) offre une combinaison unique de vitesse, d'endurance et de fiabilité, ce qui la rend idéale pour les applications nécessitant des mises à jour fréquentes des données. Contrairement aux mémoires EEPROM ou Flash traditionnelles, la FRAM écrit les données à la vitesse du bus sans risque d'usure, ce qui la rend parfaite pour l'enregistrement de données, les compteurs d'événements et le stockage de la configuration dans les systèmes critiques.
Qualité et conformité
Ce composant est conforme à la directive RoHS et répond aux normes de qualité automobiles les plus strictes (AEC-Q100), garantissant une fiabilité à long terme même dans des environnements exigeants. Tous nos produits proviennent directement de distributeurs agréés, offrant une traçabilité complète et des garanties d'authenticité.
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| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | Technologies Infineon |
| Gamme de produits | F-RAM™ |
| Conditionnement | Bande et bobine (TR) | |
| Type de mémoire | Non volatil |
| Format de mémoire | CADRE |
| Technologie | FRAM (RAM ferroélectrique) |
| Taille de la mémoire | 4Kbit |
| Organisation de la mémoire | 512 x 8 |
| Interface mémoire | SPI |
| Fréquence d'horloge | 16 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | - |
| Temps d'accès | - |
| Tension - Alimentation | 2,7 V ~ 3,6 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | Automobile |
| Qualification | AEC-Q100 |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 8-SOIC (0,154", largeur 3,90 mm) |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 8-SOIC |
| RoHS |  |
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