Infineon Technologies CY15B004Q-SXET
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 4.98 | Dhs. 4.98 |
| 15+ | Dhs. 4.82 | Dhs. 72.30 |
| 25+ | Dhs. 4.72 | Dhs. 118.00 |
| 50+ | Dhs. 4.45 | Dhs. 222.50 |
| 100+ | Dhs. 3.93 | Dhs. 393.00 |
| N+ | Dhs. 0.79 | Price Inquiry |
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Circuit intégré de mémoire F-RAM Infineon CY15B004Q-SXET - Qualité automobile
Le CY15B004Q-SXET est un circuit intégré de mémoire F-RAM (mémoire vive ferroélectrique) 4 Kbits hautes performances d'Infineon Technologies, conçu spécifiquement pour les applications automobiles et industrielles exigeant un stockage de données fiable, rapide et non volatil. Cette solution de mémoire avancée combine la vitesse de la SRAM avec la non-volatilité de la mémoire Flash, ce qui la rend idéale pour les systèmes embarqués critiques.
Principales caractéristiques et avantages
- Performances d'écriture ultra-rapides : endurance en écriture pratiquement illimitée (10¹⁴ cycles) sans délai d'écriture
- Fiabilité de qualité automobile : conforme à la norme AEC-Q100 pour les environnements automobiles difficiles
- Large plage de températures de fonctionnement : -40 °C à 125 °C, assurant des performances stables même dans des conditions extrêmes.
- Faible consommation d'énergie : Idéal pour les applications alimentées par batterie et économes en énergie
- Interface SPI : Interface SPI 16 MHz standard pour une intégration facile
- Stockage non volatil : conservation des données sans alimentation électrique pendant plus de 10 ans
Spécifications techniques
Applications
- calculateurs et systèmes de contrôle automobiles
- Automatisation industrielle et contrôle des processus
- Compteurs intelligents et gestion de l'énergie
- Dispositifs et instruments médicaux
- Enregistrement des données et des événements
- stockage des données de configuration et d'étalonnage
Pourquoi choisir la technologie F-RAM ?
La mémoire vive ferroélectrique (F-RAM) offre une combinaison unique d'avantages que les technologies de mémoire traditionnelles ne peuvent égaler. Contrairement à la mémoire Flash, la F-RAM ne nécessite aucun cycle d'effacement et écrit les données à la vitesse du bus. Contrairement à la SRAM, la F-RAM conserve les données même en cas de coupure de courant. Le CY15B004Q-SXET constitue ainsi un excellent choix pour les applications exigeant des mises à jour fréquentes des données, un enregistrement instantané des données ou une protection contre les pannes de courant.
Qualité et conformité
Ce composant est conforme à la directive RoHS et répond aux normes de qualité automobiles les plus strictes (AEC-Q100), garantissant une fiabilité à long terme même dans des environnements exigeants. Tous les produits HQICKEY proviennent directement de distributeurs agréés, ce qui garantit leur authenticité et la prise en charge complète de la garantie constructeur.
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| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | Technologies Infineon |
| Gamme de produits | F-RAM™ |
| Conditionnement | Bande et bobine (TR) | |
| Type de mémoire | Non volatil |
| Format de mémoire | CADRE |
| Technologie | FRAM (RAM ferroélectrique) |
| Taille de la mémoire | 4Kbit |
| Organisation de la mémoire | 512 x 8 |
| Interface mémoire | SPI |
| Fréquence d'horloge | 16 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | - |
| Temps d'accès | - |
| Tension - Alimentation | 3V ~ 3,6V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 125°C (TA) |
| Grade | Automobile |
| Qualification | AEC-Q100 |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 8-SOIC (0,154", largeur 3,90 mm) |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 8-SOIC |
| RoHS |

CY15B004Q-SXET.pdf