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Circuit intégré de mémoire F-RAM Infineon CY15B004Q-SXET - Qualité automobile

Le CY15B004Q-SXET est un circuit intégré de mémoire F-RAM (mémoire vive ferroélectrique) 4 Kbits hautes performances d'Infineon Technologies, conçu spécifiquement pour les applications automobiles et industrielles exigeant un stockage de données fiable, rapide et non volatil. Cette solution de mémoire avancée combine la vitesse de la SRAM avec la non-volatilité de la mémoire Flash, ce qui la rend idéale pour les systèmes embarqués critiques.

Principales caractéristiques et avantages

  • Performances d'écriture ultra-rapides : endurance en écriture pratiquement illimitée (10¹⁴ cycles) sans délai d'écriture
  • Fiabilité de qualité automobile : conforme à la norme AEC-Q100 pour les environnements automobiles difficiles
  • Large plage de températures de fonctionnement : -40 °C à 125 °C, assurant des performances stables même dans des conditions extrêmes.
  • Faible consommation d'énergie : Idéal pour les applications alimentées par batterie et économes en énergie
  • Interface SPI : Interface SPI 16 MHz standard pour une intégration facile
  • Stockage non volatil : conservation des données sans alimentation électrique pendant plus de 10 ans

Spécifications techniques

Applications

  • calculateurs et systèmes de contrôle automobiles
  • Automatisation industrielle et contrôle des processus
  • Compteurs intelligents et gestion de l'énergie
  • Dispositifs et instruments médicaux
  • Enregistrement des données et des événements
  • stockage des données de configuration et d'étalonnage

Pourquoi choisir la technologie F-RAM ?

La mémoire vive ferroélectrique (F-RAM) offre une combinaison unique d'avantages que les technologies de mémoire traditionnelles ne peuvent égaler. Contrairement à la mémoire Flash, la F-RAM ne nécessite aucun cycle d'effacement et écrit les données à la vitesse du bus. Contrairement à la SRAM, la F-RAM conserve les données même en cas de coupure de courant. Le CY15B004Q-SXET constitue ainsi un excellent choix pour les applications exigeant des mises à jour fréquentes des données, un enregistrement instantané des données ou une protection contre les pannes de courant.

Qualité et conformité

Ce composant est conforme à la directive RoHS et répond aux normes de qualité automobiles les plus strictes (AEC-Q100), garantissant une fiabilité à long terme même dans des environnements exigeants. Tous les produits HQICKEY proviennent directement de distributeurs agréés, ce qui garantit leur authenticité et la prise en charge complète de la garantie constructeur.


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Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant Technologies Infineon
Gamme de produits F-RAM™
Conditionnement Bande et bobine (TR) |
Type de mémoire Non volatil
Format de mémoire CADRE
Technologie FRAM (RAM ferroélectrique)
Taille de la mémoire 4Kbit
Organisation de la mémoire 512 x 8
Interface mémoire SPI
Fréquence d'horloge 16 MHz
Écrire le temps de cycle - Word, Page -
Temps d'accès -
Tension - Alimentation 3V ~ 3,6V
Température de fonctionnement -40°C ~ 125°C (TA)
Grade Automobile
Qualification AEC-Q100
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 8-SOIC (0,154", largeur 3,90 mm)
Emballage du dispositif du fournisseur 8-SOIC
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY