Infineon Technologies CY15B016J-SXA
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 5.73 | Dhs. 5.73 |
| 15+ | Dhs. 5.55 | Dhs. 83.25 |
| 25+ | Dhs. 5.43 | Dhs. 135.75 |
| 50+ | Dhs. 5.13 | Dhs. 256.50 |
| 100+ | Dhs. 4.52 | Dhs. 452.00 |
| N+ | Dhs. 0.90 | Price Inquiry |
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Infineon CY15B016J-SXA - Circuit intégré de mémoire F-RAM 16 Kbits pour l'automobile
La CY15B016J-SXA est une mémoire vive ferroélectrique (F-RAM) haute performance de 16 Kbits (2K x 8) d'Infineon Technologies, conçue spécifiquement pour les applications automobiles et industrielles nécessitant une mémoire non volatile fiable avec des vitesses d'écriture rapides et une endurance pratiquement illimitée.
Principales caractéristiques et avantages
- Performances d'écriture rapides : la technologie F-RAM permet des opérations d'écriture instantanées, sans les délais associés aux mémoires EEPROM ou Flash traditionnelles.
- Endurance illimitée : supporte des milliards de cycles de lecture/écriture, surpassant largement les technologies de mémoire non volatile classiques.
- Faible consommation d'énergie : fonctionne entre 2,7 V et 3,65 V avec une consommation de courant minimale, idéal pour les conceptions alimentées par batterie et économes en énergie.
- Fiabilité de qualité automobile : conforme à la norme AEC-Q100 pour les environnements automobiles difficiles, fonctionnant de -40 °C à 85 °C.
- Interface I2C : Interface série standard fonctionnant à une fréquence d'horloge de 1 MHz pour une intégration facile
- Conservation des données : le stockage non volatil garantit l’intégrité des données même en cas de coupure de courant.
Spécifications techniques
Applications
Le CY15B016J-SXA est idéal pour les systèmes automobiles nécessitant un enregistrement fréquent des données, le stockage de la configuration et la conservation des paramètres, notamment :
- calculateurs automobiles et modules de commande de carrosserie
- Systèmes d'automatisation et de contrôle industriels
- Compteurs intelligents et gestion de l'énergie
- Dispositifs médicaux nécessitant l'intégrité des données
- applications aérospatiales et de défense
- Dispositifs IoT périphériques ayant des besoins critiques en matière de stockage de données
Pourquoi choisir la technologie F-RAM ?
La mémoire vive ferroélectrique (FRAM) combine les meilleurs atouts de la RAM et de la mémoire non volatile. Contrairement à la mémoire Flash ou EEPROM, la FRAM écrit à la vitesse du bus sans délai, ne nécessite aucun algorithme d'équilibrage d'usure et offre des performances de lecture/écriture symétriques. Elle constitue ainsi le choix idéal pour les applications nécessitant des mises à jour fréquentes du stockage non volatil sans compromettre les performances ni la fiabilité du système.
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| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | Technologies Infineon |
| Gamme de produits | F-RAM™ |
| Conditionnement | Tube | |
| Type de mémoire | Non volatil |
| Format de mémoire | CADRE |
| Technologie | FRAM (RAM ferroélectrique) |
| Taille de la mémoire | 16 kbits |
| Organisation de la mémoire | 2K x 8 |
| Interface mémoire | I2C |
| Fréquence d'horloge | 1 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | - |
| Temps d'accès | - |
| Tension - Alimentation | 2,7 V ~ 3,65 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | Automobile |
| Qualification | AEC-Q100 |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 8-SOIC (0,154", largeur 3,90 mm) |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 8-SOIC |
| RoHS |  |
CY15B016J-SXA.pdf