Infineon Technologies CY15B128J-SXAT
Prix habituel
Dhs. 16.74
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Dhs. 17.64
Prix promotionnel
Dhs. 16.74
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 16.74 | Dhs. 16.74 |
| 15+ | Dhs. 16.23 | Dhs. 243.45 |
| 25+ | Dhs. 15.88 | Dhs. 397.00 |
| 50+ | Dhs. 14.99 | Dhs. 749.50 |
| 100+ | Dhs. 13.23 | Dhs. 1,323.00 |
| N+ | Dhs. 2.65 | Price Inquiry |
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Infineon CY15B128J-SXAT - Mémoire F-RAM automobile de 128 Kbits
La CY15B128J-SXAT d'Infineon Technologies est une RAM ferroélectrique (F-RAM) haute performance de 128 Kbits (16 K x 8) conçue pour les applications automobiles et industrielles nécessitant une mémoire non volatile fiable avec une endurance d'écriture illimitée.
Principales caractéristiques et avantages
- Performances d'écriture rapides : temps d'accès de 130 ns avec une interface I2C 3,4 MHz pour un enregistrement et un stockage rapides des données.
- Endurance illimitée : la technologie F-RAM offre des cycles de lecture/écriture pratiquement illimités par rapport aux EEPROM traditionnelles.
- Fonctionnement à faible consommation : plage de tension d’alimentation de 2 V à 3,6 V pour des conceptions écoénergétiques
- Qualité automobile : plage de températures de fonctionnement de -40 °C à 85 °C pour les environnements difficiles
- Stockage non volatil : conserve les données sans alimentation électrique, idéal pour le stockage de paramètres critiques.
- Boîtier compact : boîtier CMS 8 broches SOIC pour applications à espace restreint
Applications idéales
Idéal pour les calculateurs automobiles, les contrôleurs industriels, les compteurs intelligents, les dispositifs médicaux et toute application nécessitant un stockage de données non volatiles rapide et fiable avec une endurance en écriture élevée.
Spécifications techniques complètes
Conforme à la directive RoHS - Répond aux normes environnementales pour une fabrication sans plomb.
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | Technologies Infineon |
| Gamme de produits | F-RAM™ |
| Conditionnement | Bande magnétique (TR) | Bande magnétique (TR) |
| Type de mémoire | Non volatil |
| Format de mémoire | CADRE |
| Technologie | FRAM (RAM ferroélectrique) |
| Taille de la mémoire | 128 kbits |
| Organisation de la mémoire | 16K x 8 |
| Interface mémoire | I2C |
| Fréquence d'horloge | 3,4 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | - |
| Temps d'accès | 130 ns |
| Tension - Alimentation | 2V ~ 3,6V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 8-SOIC (0,154", largeur 3,90 mm) |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 8-SOIC |
| RoHS |  |
CY15B128J-SXAT.pdf
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