Infineon Technologies CY15E004J-SXAT
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 4.98 | Dhs. 4.98 |
| 15+ | Dhs. 4.82 | Dhs. 72.30 |
| 25+ | Dhs. 4.72 | Dhs. 118.00 |
| 50+ | Dhs. 4.45 | Dhs. 222.50 |
| 100+ | Dhs. 3.93 | Dhs. 393.00 |
| N+ | Dhs. 0.79 | Price Inquiry |
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Infineon CY15E004J-SXAT - Circuit intégré de mémoire F-RAM 4 Kbits de qualité automobile
La puce CY15E004J-SXAT d'Infineon Technologies est une mémoire F-RAM (Ferroelectric RAM) 4 Kbits haute fiabilité, conçue spécifiquement pour les applications automobiles et industrielles. Ce circuit intégré de mémoire non volatile combine la vitesse de la SRAM et la non-volatilité de la mémoire Flash, offrant une endurance en écriture quasi illimitée et une capacité d'écriture instantanée sans batterie de secours. Qualifiée AEC-Q100 et fonctionnant dans une large plage de températures allant de -40 °C à 85 °C, cette puce offre des performances exceptionnelles même dans les environnements les plus exigeants.
Principales caractéristiques et avantages
- Technologie de mémoire vive ferroélectrique : combine la vitesse de la SRAM et la non-volatilité de la mémoire Flash pour des opérations d'écriture instantanées.
- Endurance quasi illimitée : 10 000 milliards (10^13) de cycles de lecture/écriture, dépassant largement les mémoires EEPROM et Flash traditionnelles.
- Fiabilité de qualité automobile : conforme à la norme AEC-Q100 pour les applications automobiles critiques.
- Large plage de fonctionnement : fonctionne de manière fiable de -40 °C à +85 °C dans des environnements industriels difficiles.
- Interface I2C : interface série standard fonctionnant à 1 MHz pour une intégration facile
- Faible consommation d'énergie : Idéal pour les conceptions alimentées par batterie et économes en énergie
- Écriture instantanée : aucune latence d’écriture – les données sont écrites à la vitesse du bus sans interrogation.
- Conforme à la directive RoHS : respectueux de l'environnement et conforme aux normes réglementaires internationales
Applications typiques
- Calculateurs de gestion moteur (ECU) et modules de commande de carrosserie automobiles
- Systèmes d'automatisation industrielle et de contrôle des processus
- Compteurs intelligents et systèmes de gestion de l'énergie
- Dispositifs médicaux nécessitant un enregistrement de données fiable
- Systèmes aérospatiaux et de défense
- stockage des données de configuration et d'étalonnage
- Applications de compteurs d'événements et d'enregistrement de données
- Systèmes RFID et cartes à puce sans contact
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| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | Technologies Infineon |
| Gamme de produits | F-RAM™ |
| Conditionnement | Bande et bobine (TR) | |
| Type de mémoire | Non volatil |
| Format de mémoire | CADRE |
| Technologie | FRAM (RAM ferroélectrique) |
| Taille de la mémoire | 4Kbit |
| Organisation de la mémoire | 512 x 8 |
| Interface mémoire | I2C |
| Fréquence d'horloge | 1 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | - |
| Temps d'accès | - |
| Tension - Alimentation | 4,5 V ~ 5,5 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | Automobile |
| Qualification | AEC-Q100 |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 8-SOIC (0,154", largeur 3,90 mm) |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 8-SOIC |
| RoHS |

CY15E004J-SXAT.pdf