Infineon Technologies CY15E016Q-SXAT
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 5.73 | Dhs. 5.73 |
| 15+ | Dhs. 5.55 | Dhs. 83.25 |
| 25+ | Dhs. 5.43 | Dhs. 135.75 |
| 50+ | Dhs. 5.13 | Dhs. 256.50 |
| 100+ | Dhs. 4.52 | Dhs. 452.00 |
| N+ | Dhs. 0.90 | Price Inquiry |
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Infineon CY15E016Q-SXAT - Circuit intégré de mémoire F-RAM 16 Kbits de qualité automobile
La puce CY15E016Q-SXAT d'Infineon Technologies est une mémoire RAM ferroélectrique (F-RAM) haute performance, qualifiée pour l'automobile et conçue pour les applications critiques exigeant des vitesses d'écriture rapides, une endurance quasi illimitée et une faible consommation d'énergie. Cette solution de mémoire non volatile de 16 kbits combine la vitesse de la SRAM et la non-volatilité de la mémoire Flash, ce qui la rend idéale pour l'enregistrement de données, le stockage de paramètres et la capture de données en temps réel dans les environnements automobiles et industriels difficiles.
Principales caractéristiques et avantages
- Fiabilité de qualité automobile : conforme à la norme AEC-Q100 pour les applications automobiles exigeantes avec une plage de températures étendue (-40 °C à 85 °C).
- Performances d'écriture rapides : opérations d'écriture instantanées sans délai, idéales pour l'enregistrement de données en temps réel.
- Haute endurance : 100 000 milliards (10¹⁴) de cycles de lecture/écriture – pratiquement illimitée comparée à la mémoire Flash ou EEPROM
- Faible consommation d'énergie : Idéal pour les systèmes alimentés par batterie et économes en énergie
- Interface SPI : Interface série standard fonctionnant jusqu’à 20 MHz pour une intégration facile
- Stockage non volatil : conservation des données sans alimentation électrique pendant plus de 10 ans
Applications typiques
Ce circuit intégré de mémoire F-RAM est conçu pour les calculateurs automobiles, les contrôleurs industriels, les compteurs intelligents, les dispositifs médicaux et les nœuds périphériques IoT où des mises à jour fréquentes des données, une protection contre les pertes de courant et une fiabilité à long terme sont essentielles.
Spécifications techniques
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| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | Technologies Infineon |
| Gamme de produits | F-RAM™ |
| Conditionnement | Bande et bobine (TR) | |
| Type de mémoire | Non volatil |
| Format de mémoire | CADRE |
| Technologie | FRAM (RAM ferroélectrique) |
| Taille de la mémoire | 16 kbits |
| Organisation de la mémoire | 2K x 8 |
| Interface mémoire | SPI |
| Fréquence d'horloge | 20 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | - |
| Temps d'accès | - |
| Tension - Alimentation | 4,5 V ~ 5,5 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | Automobile |
| Qualification | AEC-Q100 |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 8-SOIC (0,154", largeur 3,90 mm) |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 8-SOIC |
| RoHS |  |
CY15E016Q-SXAT.pdf