Infineon Technologies CY15E064J-SXET
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 12.66 | Dhs. 12.66 |
| 15+ | Dhs. 12.27 | Dhs. 184.05 |
| 25+ | Dhs. 12.01 | Dhs. 300.25 |
| 50+ | Dhs. 11.34 | Dhs. 567.00 |
| 100+ | Dhs. 10.01 | Dhs. 1,001.00 |
| N+ | Dhs. 2.00 | Price Inquiry |
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Circuit intégré de mémoire F-RAM automobile Infineon CY15E064J-SXET
La mémoire CY15E064J-SXET d'Infineon Technologies est une mémoire vive ferroélectrique (F-RAM) de 64 kbits haute fiabilité, conçue spécifiquement pour les applications automobiles. Cette solution de mémoire non volatile combine la vitesse et l'endurance de la SRAM avec la non-volatilité de la mémoire Flash, ce qui la rend idéale pour les systèmes automobiles critiques nécessitant un enregistrement fréquent des données, le stockage des paramètres et la gestion de la configuration.
Principales caractéristiques et avantages
- Fiabilité de qualité automobile : conforme à la norme AEC-Q100 pour les environnements automobiles difficiles avec une plage de températures étendue (-40 °C à 125 °C).
- Endurance supérieure : la technologie F-RAM offre des cycles de lecture/écriture pratiquement illimités (10^14), surpassant largement les mémoires EEPROM et Flash traditionnelles.
- Performances d'écriture rapides : aucune latence d'écriture - les données sont écrites à la vitesse du bus sans aucun délai.
- Faible consommation d'énergie : Idéal pour les applications automobiles alimentées par batterie et sensibles à l'énergie
- Interface standard de l'industrie : interface série I2C (3,4 MHz) pour une intégration facile dans les conceptions existantes
- Conservation des données : 10 ans à 85 °C sans alimentation électrique
Applications
Idéal pour les systèmes automobiles, notamment les unités de commande du moteur (ECU), les modules de commande de la carrosserie, les systèmes ADAS, l'infodivertissement, le stockage de l'odomètre, les données d'étalonnage, l'enregistrement des événements et le stockage des codes de diagnostic (DTC).
Spécifications techniques
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| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | Technologies Infineon |
| Gamme de produits | F-RAM™ |
| Conditionnement | Bande et bobine (TR) | |
| Type de mémoire | Non volatil |
| Format de mémoire | CADRE |
| Technologie | FRAM (RAM ferroélectrique) |
| Taille de la mémoire | 64 Kbits |
| Organisation de la mémoire | 8K x 8 |
| Interface mémoire | I2C |
| Fréquence d'horloge | 3,4 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | - |
| Temps d'accès | - |
| Tension - Alimentation | 4,5 V ~ 5,5 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 125°C (TA) |
| Grade | Automobile |
| Qualification | AEC-Q100 |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 8-SOIC (0,154", largeur 3,90 mm) |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 8-SOIC |
| RoHS |  |
CY15E064J-SXET.pdf