Infineon Technologies CY62126EV30LL-55BVXET

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15+ Dhs. 15.89 Dhs. 238.35
25+ Dhs. 15.54 Dhs. 388.50
50+ Dhs. 14.68 Dhs. 734.00
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CY62126EV30LL-55BVXET - Circuit intégré de mémoire SRAM haute performance de 1 Mbit

Le CY62126EV30LL-55BVXET d'Infineon Technologies est une solution de mémoire SRAM asynchrone 1 Mbit haute fiabilité, conçue pour les applications exigeantes des secteurs automobile, industriel, des télécommunications et médical. Appartenant à la célèbre gamme de produits MOBL™ , ce circuit intégré de mémoire offre des performances exceptionnelles avec un temps d'accès de 55 ns et fonctionne sur une large plage de températures, de -40 °C à 125 °C.

Principales caractéristiques et avantages

  • Temps d'accès rapide : un temps d'accès de 55 ns garantit une récupération rapide des données pour les applications critiques.
  • Large plage de tension : la tension d’alimentation de 2,2 V à 3,6 V offre une grande flexibilité pour diverses conceptions de systèmes.
  • Plage de températures étendue : son fonctionnement de -40 °C à 125 °C le rend idéal pour les environnements difficiles.
  • Boîtier compact : le boîtier CMS 48-VFBGA (6x8) permet un gain de place précieux sur la carte.
  • Interface parallèle : une interface parallèle standard simplifie l’intégration dans les conceptions existantes.
  • Conforme à la directive RoHS : respectueux de l'environnement et conforme aux normes réglementaires internationales

Applications idéales

Cette mémoire SRAM est parfaitement adaptée aux systèmes de contrôle automobile, à l'automatisation industrielle, aux dispositifs médicaux, aux équipements de télécommunications et à tout système embarqué nécessitant une mémoire volatile rapide et fiable avec un support à long terme.

Spécifications techniques complètes

Pourquoi choisir cette mémoire SRAM ? En tant que distributeur agréé, nous assurons une traçabilité complète, un support technique tout au long du cycle de vie et des ressources d'intégration technique pour garantir la réussite de votre projet. Ce composant bénéficie de la réputation d'Infineon en matière de qualité et de fiabilité pour les applications critiques.

Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant Technologies Infineon
Gamme de produits MOBL™
Conditionnement Bande magnétique (TR) | Bande magnétique (TR)
Type de mémoire Volatil
Format de mémoire SRAM
Technologie SRAM - Asynchrone
Taille de la mémoire 1 Mbit
Organisation de la mémoire 64K x 16
Interface mémoire Parallèle
Fréquence d'horloge -
Écrire le temps de cycle - Word, Page 55 ns
Temps d'accès 55 ns
Tension - Alimentation 2,2 V ~ 3,6 V
Température de fonctionnement -40°C ~ 125°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 48-VFBGA
Emballage du dispositif du fournisseur 48-VFBGA (6x8)
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY