Infineon Technologies CY62127DV30LL-55ZXIT
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 6.74 | Dhs. 6.74 |
| 15+ | Dhs. 6.51 | Dhs. 97.65 |
| 25+ | Dhs. 6.37 | Dhs. 159.25 |
| 50+ | Dhs. 6.02 | Dhs. 301.00 |
| 100+ | Dhs. 5.31 | Dhs. 531.00 |
| N+ | Dhs. 1.06 | Price Inquiry |
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CY62127DV30LL-55ZXIT - Circuit intégré de mémoire SRAM asynchrone haute performance de 1 Mbit
Le CY62127DV30LL-55ZXIT d'Infineon Technologies est un circuit intégré de mémoire vive statique (SRAM) asynchrone de 1 mégabit haut de gamme, conçu pour les systèmes embarqués haute fiabilité, l'automatisation industrielle, l'électronique automobile et les applications IoT. Cette puce mémoire à interface parallèle offre un temps d'accès rapide de 55 ns et une faible consommation d'énergie sur une large plage de tensions d'alimentation, de 2,2 V à 3,6 V.
Principales caractéristiques et avantages
- Capacité mémoire de 1 Mbit : organisée en 64 Ko x 16, offrant un espace de stockage suffisant pour la mise en mémoire tampon des données, la mémoire cache et les applications de traitement en temps réel.
- Temps d'accès rapide de 55 ns : garantit des opérations de lecture/écriture rapides pour les systèmes embarqués critiques en termes de temps.
- Large plage de tension de fonctionnement : la plage d’alimentation de 2,2 V à 3,6 V prend en charge les conceptions fonctionnant sur batterie 3,3 V et basse consommation.
- Plage de températures industrielles : Fonctionnement prévu de -40 °C à 85 °C, idéal pour les environnements difficiles.
- Interface parallèle : bus parallèle asynchrone standard pour une intégration aisée avec les microcontrôleurs et les processeurs.
- Boîtier CMS : 44-TSOP II (largeur de 10,16 mm) pour l’assemblage automatisé de circuits imprimés et les conceptions compactes.
- Conforme à la directive RoHS : Répond aux normes environnementales en matière de fabrication sans plomb
Applications
Ce circuit intégré de mémoire SRAM est parfaitement adapté aux systèmes de contrôle industriels, aux calculateurs automobiles, aux dispositifs médicaux, aux équipements de télécommunications, aux systèmes d'acquisition de données et aux plateformes informatiques embarquées nécessitant une mémoire volatile fiable et rapide avec une longue durée de vie.
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Spécifications techniques
Produits et ressources connexes
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| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | Technologies Infineon |
| Gamme de produits | MOBL™ |
| Conditionnement | Bande et bobine (TR) | |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | SRAM |
| Technologie | SRAM - Asynchrone |
| Taille de la mémoire | 1 Mbit |
| Organisation de la mémoire | 64K x 16 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | - |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 55 ns |
| Temps d'accès | 55 ns |
| Tension - Alimentation | 2,2 V ~ 3,6 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 44-TSOP (0,400", largeur 10,16 mm) |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 44-TSOP II |
| RoHS |

CY62127DV30LL-55ZXIT.pdf