Infineon Technologies CY62128BLL-70ZC

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CY62128BLL-70ZC - Circuit intégré de mémoire SRAM asynchrone haute performance de 1 Mbit

La CY62128BLL-70ZC d'Infineon Technologies est une solution de mémoire SRAM asynchrone haut de gamme de 1 Mbit, conçue pour les applications critiques exigeant une fiabilité et des performances exceptionnelles. Appartenant à la célèbre gamme de produits MOBL™, ce circuit intégré de mémoire volatile offre un temps d'accès rapide de 70 ns et une organisation mémoire robuste de 128 Ko x 8, ce qui le rend idéal pour les systèmes embarqués dans les secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, du contrôle industriel, des dispositifs médicaux et des infrastructures de télécommunications.

Principales caractéristiques et avantages

  • Accès ultra-rapide : un temps d’accès de 70 ns garantit une récupération rapide des données pour les applications sensibles au temps.
  • Architecture mémoire flexible : organisation 128 Ko x 8 avec interface parallèle pour une intégration système polyvalente
  • Large plage de fonctionnement : tension d’alimentation de 4,5 V à 5,5 V et tolérance de température de 0 °C à 70 °C
  • Conception compacte : Boîtier de montage en surface 32-TSOP I (largeur de 18,40 mm)
  • Fiabilité de niveau industriel : normes de qualité Infineon pour les environnements exigeants

Spécifications techniques

Applications

Cette mémoire SRAM haute fiabilité est parfaitement adaptée pour :

  • Systèmes aérospatiaux et de défense nécessitant une mémoire résistante aux radiations
  • calculateurs automobiles et modules de commande critiques pour la sécurité
  • équipements d'automatisation industrielle et de contrôle des processus
  • Dispositifs de diagnostic et de surveillance médicale
  • Infrastructure du réseau de télécommunications
  • Systèmes embarqués nécessitant une mise en mémoire tampon des données rapide et fiable

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Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant Technologies Infineon
Gamme de produits MOBL™
Conditionnement Sac |
Type de mémoire Volatil
Format de mémoire SRAM
Technologie SRAM - Asynchrone
Taille de la mémoire 1 Mbit
Organisation de la mémoire 128K x 8
Interface mémoire Parallèle
Fréquence d'horloge -
Écrire le temps de cycle - Word, Page 70ns
Temps d'accès 70 ns
Tension - Alimentation 4,5 V ~ 5,5 V
Température de fonctionnement 0°C ~ 70°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 32-TFSOP (0,724", largeur 18,40 mm)
Emballage du dispositif du fournisseur 32-TSOP I