Infineon Technologies CY62128BNLL-55SXI
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 355,889.44 | Dhs. 355,889.44 |
| 15+ | Dhs. 344,650.82 | Dhs. 5,169,762.30 |
| 25+ | Dhs. 337,158.41 | Dhs. 8,428,960.25 |
| 50+ | Dhs. 318,427.39 | Dhs. 15,921,369.50 |
| 100+ | Dhs. 280,965.35 | Dhs. 28,096,535.00 |
| N+ | Dhs. 56,193.07 | Price Inquiry |
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Infineon CY62128BNLL-55SXI - SRAM asynchrone 1 Mbit haute fiabilité
La CY62128BNLL-55SXI d'Infineon Technologies est une SRAM asynchrone 1 Mbit haut de gamme conçue pour les applications critiques exigeant une fiabilité élevée et des temps d'accès rapides. Appartenant à la célèbre gamme de produits MOBL™ , ce circuit intégré de mémoire parallèle offre des performances exceptionnelles avec un temps d'accès de 55 ns et fonctionne de manière fiable sur une large plage de températures, de -40 °C à 85 °C.
Principales caractéristiques et avantages
- Performances à haute vitesse : un temps d’accès de 55 ns garantit une récupération rapide des données pour les applications sensibles au temps.
- Organisation de la mémoire flexible : configuration 128 Ko x 8 optimisée pour les opérations de données à l’échelle de l’octet
- Plage de températures industrielles : fonctionnement de -40 °C à 85 °C dans des conditions environnementales difficiles.
- Large plage de tension : alimentation de 4,5 V à 5,5 V pour une intégration système polyvalente.
- Conception pour montage en surface : boîtier SOIC 32 broches (largeur 11,30 mm) pour un assemblage efficace sur circuit imprimé
- Conforme à la directive RoHS : Fabrication respectueuse de l'environnement et conforme aux normes internationales
Applications idéales
Cette mémoire SRAM haute fiabilité est parfaitement adaptée aux systèmes aérospatiaux, à l'électronique automobile, aux systèmes de contrôle industriels, aux dispositifs médicaux, aux équipements de télécommunications et aux plateformes informatiques embarquées où l'intégrité des données et les performances sont primordiales.
Spécifications techniques complètes
Pourquoi choisir Infineon MOBL™ SRAM ?
La série MOBL™ d'Infineon incarne des décennies d'excellence dans le domaine des semi-conducteurs, offrant une fiabilité éprouvée pour les applications où la moindre défaillance est inacceptable. Le CY62128BNLL-55SXI allie rapidité d'accès et robustesse, ce qui en fait le choix privilégié des ingénieurs concevant les systèmes de nouvelle génération.
Ressources connexes
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| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | Technologies Infineon |
| Gamme de produits | MOBL™ |
| Conditionnement | | |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | SRAM |
| Technologie | SRAM - Asynchrone |
| Taille de la mémoire | 1 Mbit |
| Organisation de la mémoire | 128K x 8 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | - |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 55 ns |
| Temps d'accès | 55 ns |
| Tension - Alimentation | 4,5 V ~ 5,5 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 32-SOIC (0,445", largeur 11,30 mm) |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 32-SOIC |
| RoHS |  |
CY62128BNLL-55SXI.pdf