Infineon Technologies CY62136FV30LL-45BVXIT

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Infineon CY62136FV30LL-45BVXIT - SRAM asynchrone haute performance de 2 Mbit

La CY62136FV30LL-45BVXIT d'Infineon Technologies est une SRAM asynchrone 2 Mbit haute fiabilité conçue pour les applications critiques des secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, de l'industrie et des télécommunications. Ce circuit intégré de mémoire à montage en surface offre des performances exceptionnelles avec un temps d'accès de 45 ns et fonctionne sur une large plage de tensions d'alimentation (de 2,2 V à 3,6 V), ce qui le rend idéal pour les systèmes embarqués à faible consommation.

Principales caractéristiques et avantages

  • Performances à haute vitesse : un temps d’accès de 45 ns garantit une récupération rapide des données pour les applications critiques.
  • Organisation de la mémoire flexible : configuration 128 Ko x 16 optimisée pour les architectures de microcontrôleurs 16 bits
  • Large plage de fonctionnement : plage de températures de -40 °C à 85 °C pour les environnements industriels difficiles
  • Fonctionnement à faible consommation : une tension d’alimentation de 2,2 V à 3,6 V réduit la consommation d’énergie.
  • Boîtier compact : le boîtier CMS 48-VFBGA (6x8) permet de gagner de la place sur la carte.
  • Conforme à la directive RoHS : respectueux de l'environnement et conforme aux normes réglementaires internationales

Spécifications techniques

Applications

Cette mémoire SRAM haute fiabilité est parfaitement adaptée pour :

  • Systèmes aérospatiaux et de défense exigeant l'intégrité des données
  • calculateurs automobiles et systèmes de contrôle critiques pour la sécurité
  • équipements d'automatisation industrielle et de contrôle des processus
  • Dispositifs médicaux soumis à des exigences de fiabilité rigoureuses
  • Équipements d'infrastructure et de réseau de télécommunications
  • Systèmes embarqués nécessitant un stockage de données rapide et volatile

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Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant Technologies Infineon
Gamme de produits MOBL™
Conditionnement Bande et bobine (TR) |
Type de mémoire Volatil
Format de mémoire SRAM
Technologie SRAM - Asynchrone
Taille de la mémoire 2 Mbit
Organisation de la mémoire 128K x 16
Interface mémoire Parallèle
Fréquence d'horloge -
Écrire le temps de cycle - Word, Page 45 ns
Temps d'accès 45 ns
Tension - Alimentation 2,2 V ~ 3,6 V
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 48-VFBGA
Emballage du dispositif du fournisseur 48-VFBGA (6x8)
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY