Infineon Technologies CY62137EV30LL-45BVXIT

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15+ Dhs. 10.72 Dhs. 160.80
25+ Dhs. 10.49 Dhs. 262.25
50+ Dhs. 9.90 Dhs. 495.00
100+ Dhs. 8.74 Dhs. 874.00
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Infineon CY62137EV30LL-45BVXIT - Mémoire SRAM haute performance de 2 Mbit

La CY62137EV30LL-45BVXIT d'Infineon Technologies est une SRAM asynchrone 2 Mbit haute fiabilité conçue pour les applications exigeantes des secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, de l'industrie, du médical et des télécommunications. Cette solution mémoire offre des performances exceptionnelles avec un temps d'accès de 45 ns et fonctionne sur une large plage de tensions (de 2,2 V à 3,6 V), ce qui la rend idéale pour les applications alimentées par batterie et basse consommation.

Principales caractéristiques et avantages

  • Performances à haute vitesse : un temps d’accès de 45 ns garantit une récupération rapide des données pour les applications critiques.
  • Organisation de la mémoire flexible : configuration 128 Ko x 16 optimisée pour les systèmes d’interface parallèles
  • Large plage de fonctionnement : fonctionne de manière fiable de -40 °C à 85 °C, idéal pour les environnements industriels difficiles.
  • Fonctionnement à faible consommation : une tension d’alimentation de 2,2 V à 3,6 V permet des conceptions écoénergétiques.
  • Boîtier compact pour montage en surface : l’encombrement de 48 VFBGA (6 x 8) permet de gagner un espace précieux sur la carte.
  • Conforme à la directive RoHS : répond aux normes environnementales pour un déploiement mondial

Spécifications techniques

Applications

Cette mémoire SRAM est conçue pour les systèmes critiques exigeant un stockage de données rapide et fiable, notamment les contrôleurs embarqués, les équipements réseau, les systèmes d'automatisation industrielle, les dispositifs médicaux et l'électronique automobile. Sa large plage de températures de fonctionnement et sa conception robuste la rendent adaptée aux environnements difficiles.

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Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant Technologies Infineon
Gamme de produits MOBL™
Conditionnement Bande et bobine (TR) |
Type de mémoire Volatil
Format de mémoire SRAM
Technologie SRAM - Asynchrone
Taille de la mémoire 2 Mbit
Organisation de la mémoire 128K x 16
Interface mémoire Parallèle
Fréquence d'horloge -
Écrire le temps de cycle - Word, Page 45 ns
Temps d'accès 45 ns
Tension - Alimentation 2,2 V ~ 3,6 V
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 48-VFBGA
Emballage du dispositif du fournisseur 48-VFBGA (6x8)
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY