Infineon Technologies CY62147EV18LL-45BVXIT
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 14.95 | Dhs. 14.95 |
| 15+ | Dhs. 14.47 | Dhs. 217.05 |
| 25+ | Dhs. 14.16 | Dhs. 354.00 |
| 50+ | Dhs. 13.37 | Dhs. 668.50 |
| 100+ | Dhs. 11.80 | Dhs. 1,180.00 |
| N+ | Dhs. 2.36 | Price Inquiry |
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CY62147EV18LL-45BVXIT - SRAM asynchrone 4 Mbit haute fiabilité
La mémoire SRAM asynchrone haute performance 4 Mbit Infineon CY62147EV18LL-45BVXIT de la série MOBL™ est conçue pour les applications critiques exigeant un cycle de vie long et une traçabilité complète. Avec une organisation mémoire de 256 Ko x 16 et un temps d'accès ultrarapide de 45 ns, ce composant offre des performances d'interface mémoire parallèle fiables dans les environnements exigeants des secteurs industriel, automobile, aérospatial, médical et des télécommunications.
Principales caractéristiques et avantages
- Performances à haute vitesse : temps d’accès et temps de cycle d’écriture de 45 ns pour un traitement rapide des données
- Fonctionnement à basse tension : tension d’alimentation de 1,65 V à 2,25 V pour des conceptions écoénergétiques
- Plage de températures étendue : fonctionnement de -40 °C à 85 °C pour les environnements difficiles
- Montage en surface compact : boîtier 48-VFBGA (6x8) optimisé pour les cartes à espace limité
- Conforme aux normes RoHS/REACH : Répond aux normes environnementales internationales avec une traçabilité complète.
- Engagement sur le long terme : distribution agréée avec assistance du fabricant
Applications typiques
Idéal pour l'avionique aérospatiale, les calculateurs automobiles, les contrôleurs industriels, les dispositifs médicaux, les infrastructures de télécommunications et toute application nécessitant une mémoire haute fiabilité avec une disponibilité à long terme garantie.
Spécifications techniques complètes
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | Technologies Infineon |
| Gamme de produits | MOBL™ |
| Conditionnement | Bande magnétique (TR) | Bande magnétique (TR) |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | SRAM |
| Technologie | SRAM - Asynchrone |
| Taille de la mémoire | 4 Mbit |
| Organisation de la mémoire | 256K x 16 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | - |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 45 ns |
| Temps d'accès | 45 ns |
| Tension - Alimentation | 1,65 V ~ 2,25 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 48-VFBGA |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 48-VFBGA (6x8) |
| RoHS |  |
CY62147EV18LL-45BVXIT.pdf