Infineon Technologies CY62147EV18LL-55BVXIT
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 17.72 | Dhs. 17.72 |
| 15+ | Dhs. 17.17 | Dhs. 257.55 |
| 25+ | Dhs. 16.79 | Dhs. 419.75 |
| 50+ | Dhs. 15.86 | Dhs. 793.00 |
| 100+ | Dhs. 14.00 | Dhs. 1,400.00 |
| N+ | Dhs. 2.80 | Price Inquiry |
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Infineon CY62147EV18LL-55BVXIT - SRAM asynchrone basse tension de 4 Mbit
La CY62147EV18LL-55BVXIT d'Infineon Technologies est une mémoire SRAM 4 Mbit hautes performances fonctionnant à très basse tension (1,65 V à 2,25 V) et offrant un temps d'accès rapide de 55 ns. Appartenant à la gamme MOBL™, cette SRAM asynchrone est idéale pour les applications aérospatiales, automobiles, industrielles et de télécommunications exigeant une mémoire fiable et rapide avec un cycle de vie étendu.
Principales caractéristiques et avantages
- Mémoire haute densité : capacité de 4 Mbits avec une organisation de 256 Ko x 16 pour un stockage de données efficace
- Temps d'accès rapide : cycle d'accès et d'écriture de 55 ns pour des performances système réactives.
- Fonctionnement à basse tension : une tension d’alimentation de 1,65 V à 2,25 V réduit la consommation d’énergie.
- Plage de températures étendue : fonctionnement de -40 °C à 85 °C pour les environnements difficiles
- Montage en surface compact : le boîtier 48-VFBGA (6x8) permet un gain de place sur la carte.
- Interface parallèle : interface SRAM asynchrone standard pour une intégration facile
- Conforme à la norme RoHS : construction écologique et sans plomb
Applications
Cette mémoire SRAM est conçue pour les systèmes critiques de l'avionique aérospatiale, des calculateurs automobiles, des contrôleurs industriels, des infrastructures de télécommunications et des dispositifs médicaux où la disponibilité et la traçabilité à long terme sont essentielles.
Avantages réservés aux distributeurs agréés
Nous fournissons des composants Infineon authentiques avec la documentation complète du fabricant, des certificats de traçabilité et un support tout au long du cycle de vie afin de protéger votre investissement dans la conception et d'assurer la continuité de la chaîne d'approvisionnement.
Spécifications techniques
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | Technologies Infineon |
| Gamme de produits | MOBL™ |
| Conditionnement | Bande magnétique (TR) | Bande magnétique (TR) |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | SRAM |
| Technologie | SRAM - Asynchrone |
| Taille de la mémoire | 4 Mbits |
| Organisation de la mémoire | 256K x 16 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | - |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 55 ns |
| Temps d'accès | 55 ns |
| Tension - Alimentation | 1,65 V ~ 2,25 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 48-VFBGA |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 48-VFBGA (6x8) |
| RoHS |  |
CY62147EV18LL-55BVXIT.pdf