Infineon Technologies CY62147EV30LL-45B2XIT

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15+ Dhs. 17.17 Dhs. 257.55
25+ Dhs. 16.79 Dhs. 419.75
50+ Dhs. 15.86 Dhs. 793.00
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Infineon CY62147EV30LL-45B2XIT - SRAM asynchrone haute performance de 4 Mbit

La CY62147EV30LL-45B2XIT de la série MOBL™ d'Infineon Technologies est une SRAM asynchrone haute densité de 4 Mbit conçue pour les applications exigeantes des secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, de l'industrie et des télécommunications nécessitant des temps d'accès rapides et des performances de mémoire volatile fiables.

Principales caractéristiques et avantages

  • Performances à haute vitesse : un temps d’accès de 45 ns garantit une récupération rapide des données pour les applications critiques.
  • Organisation flexible de la mémoire : configuration 256 Ko x 16 optimisée pour les systèmes d’interface parallèles
  • Large plage de tension de fonctionnement : la plage d’alimentation de 2,2 V à 3,6 V prend en charge diverses architectures d’alimentation.
  • Plage de températures étendue : fonctionnement de -40 °C à 85 °C, idéal pour les environnements industriels difficiles.
  • Boîtier compact pour montage en surface : l’encombrement de 48 VFBGA (6 x 8 mm) optimise l’espace sur la carte.
  • Conforme à la directive RoHS : répond aux normes environnementales pour un déploiement mondial

Applications idéales

Idéal pour les systèmes embarqués, les équipements de réseau, les contrôleurs industriels, l'électronique automobile et toute conception nécessitant une SRAM parallèle rapide et fiable avec une tolérance aux températures étendue et une longue durée de vie.

Garantie du distributeur agréé

Nous fournissons des composants Infineon 100 % authentiques, accompagnés de la documentation complète du fabricant, des certificats de traçabilité et d'un support de disponibilité à long terme afin de protéger votre investissement dans la conception et d'assurer la continuité de votre chaîne d'approvisionnement.

Spécifications techniques complètes

Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant Technologies Infineon
Gamme de produits MOBL™
Conditionnement Bande magnétique (TR) | Bande magnétique (TR)
Type de mémoire Volatil
Format de mémoire SRAM
Technologie SRAM - Asynchrone
Taille de la mémoire 4 Mbit
Organisation de la mémoire 256K x 16
Interface mémoire Parallèle
Fréquence d'horloge -
Écrire le temps de cycle - Word, Page 45 ns
Temps d'accès 45 ns
Tension - Alimentation 2,2 V ~ 3,6 V
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 48-VFBGA
Emballage du dispositif du fournisseur 48-VFBGA (6x8)
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY