Infineon Technologies CY62147GE-45ZSXI
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 15.21 | Dhs. 15.21 |
| 15+ | Dhs. 14.72 | Dhs. 220.80 |
| 25+ | Dhs. 14.40 | Dhs. 360.00 |
| 50+ | Dhs. 13.60 | Dhs. 680.00 |
| 100+ | Dhs. 12.00 | Dhs. 1,200.00 |
| N+ | Dhs. 2.40 | Price Inquiry |
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CY62147GE-45ZSXI - SRAM asynchrone 4 Mbit avec ECC
La CY62147GE-45ZSXI d'Infineon Technologies est une SRAM asynchrone haute performance de 4 Mbit (256 Ko x 16) dotée de la technologie de correction d'erreurs (ECC). Ce circuit intégré de mémoire de qualité industrielle garantit une intégrité des données fiable avec un temps d'accès de 45 ns, ce qui le rend idéal pour les applications critiques dans les secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, du contrôle industriel, des dispositifs médicaux et des télécommunications.
Principales caractéristiques et avantages
- Fiabilité accrue : la correction d’erreurs intégrée (ECC) garantit l’intégrité des données dans des environnements d’exploitation difficiles.
- Performances rapides : temps d’accès et cycle d’écriture de 45 ns pour un fonctionnement système réactif.
- Large plage de températures de fonctionnement : de -40 °C à +85 °C pour les applications industrielles et automobiles
- Interface parallèle : interface SRAM asynchrone standard pour une intégration facile
- Assistance longue durée : Fait partie de la gamme MOBL™ d’Infineon avec un engagement de disponibilité étendu
- Conforme à la directive RoHS : répond aux normes environnementales pour un déploiement mondial
Applications
Cette mémoire SRAM est conçue pour les systèmes exigeant une fiabilité élevée et une disponibilité à long terme : contrôleurs embarqués, automatisation industrielle, instrumentation médicale, systèmes aérospatiaux, électronique automobile et infrastructure de télécommunications.
Spécifications techniques complètes
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | Technologies Infineon |
| Gamme de produits | MOBL™ |
| Conditionnement | Plateau | |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | SRAM |
| Technologie | SRAM - Asynchrone |
| Taille de la mémoire | 4 Mbits |
| Organisation de la mémoire | 256K x 16 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | - |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 45 ns |
| Temps d'accès | 45 ns |
| Tension - Alimentation | 4,5 V ~ 5,5 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 44-TSOP (0,400", largeur 10,16 mm) |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 44-TSOP II |
| RoHS |  |
CY62147GE-45ZSXI.pdf