Infineon Technologies CY62147GN18-55BVXI

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Infineon CY62147GN18-55BVXI - SRAM asynchrone haute fiabilité de 4 Mbit

Le CY62147GN18-55BVXI de la série MOBL™ d'Infineon Technologies est un circuit intégré de mémoire SRAM asynchrone 4 Mbit hautes performances, conçu pour les applications critiques exigeant une fiabilité exceptionnelle et un cycle de vie étendu. Grâce à son organisation mémoire de 256 Ko x 16 et son temps d'accès de 55 ns, ce composant offre un accès mémoire rapide et déterministe pour les secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, du contrôle industriel, des équipements médicaux et des télécommunications.

Principales caractéristiques et avantages

  • Performances haute vitesse : temps d’accès et temps de cycle d’écriture de 55 ns pour des opérations de données rapides.
  • Alimentation flexible : une large plage de tension (1,65 V à 2,2 V) prend en charge diverses architectures système.
  • Plage de températures étendue : un fonctionnement de -40 °C à 85 °C garantit une fiabilité optimale même dans des environnements difficiles.
  • Encombrement réduit : le boîtier CMS 48-VFBGA (6x8) optimise l’espace sur la carte.
  • Interface parallèle : une interface mémoire parallèle standard simplifie l’intégration dans les conceptions existantes.
  • Conforme à la directive RoHS : répond aux normes environnementales et réglementaires pour un déploiement mondial

Applications idéales

Cette mémoire SRAM est conçue pour les systèmes où l'intégrité des données, la disponibilité à long terme et la fiabilité éprouvée sont primordiales, notamment les systèmes avioniques, les calculateurs automobiles, les contrôleurs d'automatisation industrielle, les équipements de diagnostic médical et l'infrastructure des télécommunications.

Spécifications techniques complètes

En tant que distributeur agréé, nous fournissons une documentation de traçabilité complète, des certificats de conformité RoHS/REACH et une disponibilité tout au long du cycle de vie pour répondre à vos exigences de conception critiques.

Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant Technologies Infineon
Gamme de produits MOBL™
Conditionnement Plateau |
Type de mémoire Volatil
Format de mémoire SRAM
Technologie SRAM - Asynchrone
Taille de la mémoire 4 Mbit
Organisation de la mémoire 256K x 16
Interface mémoire Parallèle
Fréquence d'horloge -
Écrire le temps de cycle - Word, Page 55 ns
Temps d'accès 55 ns
Tension - Alimentation 1,65 V ~ 2,2 V
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 48-VFBGA
Emballage du dispositif du fournisseur 48-VFBGA (6x8)
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY

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