Infineon Technologies CY62147GN18-55BVXIT
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 14.61 | Dhs. 14.61 |
| 15+ | Dhs. 14.17 | Dhs. 212.55 |
| 25+ | Dhs. 13.86 | Dhs. 346.50 |
| 50+ | Dhs. 13.09 | Dhs. 654.50 |
| 100+ | Dhs. 11.55 | Dhs. 1,155.00 |
| N+ | Dhs. 2.31 | Price Inquiry |
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Infineon CY62147GN18-55BVXIT - Circuit intégré de mémoire SRAM haute performance de 4 Mbit
Le CY62147GN18-55BVXIT d'Infineon Technologies est un circuit intégré de mémoire SRAM asynchrone 4 Mbit haute fiabilité de la gamme MOBL™, conçu pour les applications exigeant des temps d'accès rapides et une large plage de températures de fonctionnement. Cette SRAM à interface parallèle dispose d'une organisation mémoire de 256 Ko x 16 avec un temps d'accès de 55 ns, ce qui la rend idéale pour les applications aérospatiales, automobiles, industrielles, médicales et de télécommunications.
Principales caractéristiques et avantages
- Temps d'accès rapide : un temps d'accès de 55 ns garantit une récupération rapide des données pour les applications critiques.
- Fonctionnement à basse tension : tension d’alimentation de 1,65 V à 2,2 V pour des conceptions écoénergétiques
- Plage de températures étendue : plage de fonctionnement de -40 °C à 85 °C pour les environnements difficiles
- Boîtier compact pour montage en surface : l’encombrement de 48 VFBGA (6 x 8) optimise l’espace sur la carte.
- Conforme à la directive RoHS : Répond aux normes environnementales des marchés mondiaux
- Interface parallèle : interface mémoire parallèle standard pour une intégration facile
Applications
Cette mémoire SRAM est parfaitement adaptée aux systèmes embarqués, aux contrôleurs industriels, aux équipements de réseau, aux dispositifs médicaux, à l'électronique automobile et à toute application nécessitant une mémoire volatile fiable et rapide avec un support à long cycle de vie.
Spécifications techniques complètes
Distributeur agréé : Nous sommes un distributeur agréé fournissant des composants 100 % authentiques, avec une traçabilité complète et la documentation du fabricant. Toutes nos pièces sont conformes aux normes RoHS et REACH.
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | Technologies Infineon |
| Gamme de produits | MOBL™ |
| Conditionnement | Bande et bobine (TR) | |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | SRAM |
| Technologie | SRAM - Asynchrone |
| Taille de la mémoire | 4 Mbits |
| Organisation de la mémoire | 256K x 16 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | - |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 55 ns |
| Temps d'accès | 55 ns |
| Tension - Alimentation | 1,65 V ~ 2,2 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 48-VFBGA |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 48-VFBGA (6x8) |
| RoHS |  |
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