Infineon Technologies CY62147GN30-45BVXIT

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15+ Dhs. 13.09 Dhs. 196.35
25+ Dhs. 12.81 Dhs. 320.25
50+ Dhs. 12.10 Dhs. 605.00
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Infineon CY62147GN30-45BVXIT - SRAM asynchrone haute performance de 4 Mbit

Le CY62147GN30-45BVXIT d'Infineon Technologies est un circuit intégré de mémoire SRAM asynchrone 4 Mbit haute fiabilité, conçu pour les applications critiques dans les secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, du contrôle industriel, des dispositifs médicaux et des télécommunications. Appartenant à la gamme de produits MOBL™, ce composant offre un temps d'accès rapide de 45 ns et une large plage de tension de fonctionnement de 2,2 V à 3,6 V, ce qui le rend idéal pour les systèmes embarqués basse consommation alimentés par batterie.

Principales caractéristiques et avantages

  • Capacité mémoire de 4 Mbit : l’organisation 256 Ko x 16 offre un stockage de données flexible pour les applications embarquées.
  • Temps d'accès rapide de 45 ns : garantit des opérations de lecture/écriture rapides pour les applications sensibles au temps.
  • Large plage de tension : la tension d’alimentation de 2,2 V à 3,6 V prend en charge diverses architectures système.
  • Plage de températures étendue : fonctionnement de -40 °C à 85 °C pour les environnements industriels difficiles
  • Boîtier compact 48-VFBGA : conception à montage en surface de 6 x 8 mm peu encombrante
  • Conforme à la directive RoHS : Répond aux normes environnementales pour une distribution mondiale
  • Interface parallèle : interface mémoire standard pour une intégration facile

Applications

Cette mémoire SRAM est conçue pour les applications exigeantes, notamment les contrôleurs d'automatisation industrielle, les calculateurs automobiles, les équipements de diagnostic médical, l'avionique aérospatiale, l'infrastructure de télécommunications et les systèmes d'acquisition de données nécessitant une mémoire volatile rapide et fiable avec une longue durée de vie.

Spécifications techniques complètes

Support intégré à la conception

En tant que distributeur agréé, nous fournissons une documentation complète de traçabilité, des fiches techniques, des schémas de référence et une assistance technique pour accélérer votre processus d'intégration. Contactez notre équipe d'ingénieurs pour obtenir des informations sur les tarifs dégressifs, les délais de livraison et des conseils spécifiques à votre application.

Ressources connexes

Découvrez notre gamme complète de composants de mémoire pour vos besoins en conception de semi-conducteurs. Visitez HQICKEY pour consulter notre catalogue complet de composants haute fiabilité, ou visitez notre blogue Actualités et Techniques pour les dernières tendances et mises à jour produits.

Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant Technologies Infineon
Gamme de produits MOBL™
Conditionnement Bande et bobine (TR) |
Type de mémoire Volatil
Format de mémoire SRAM
Technologie SRAM - Asynchrone
Taille de la mémoire 4 Mbits
Organisation de la mémoire 256K x 16
Interface mémoire Parallèle
Fréquence d'horloge -
Écrire le temps de cycle - Word, Page 45 ns
Temps d'accès 45 ns
Tension - Alimentation 2,2 V ~ 3,6 V
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 48-VFBGA
Emballage du dispositif du fournisseur 48-VFBGA (6x8)
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY

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