Infineon Technologies CY62147GN30-45ZSXI

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Infineon CY62147GN30-45ZSXI - SRAM asynchrone haute performance de 4 Mbit

La CY62147GN30-45ZSXI d'Infineon Technologies est une SRAM asynchrone 4 Mbit haute fiabilité conçue pour les applications critiques exigeant des temps d'accès rapides et une large plage de températures de fonctionnement. Appartenant à la série MOBL™, ce circuit intégré de mémoire parallèle offre un temps d'accès de 45 ns et une organisation de 256 Ko x 16, ce qui le rend idéal pour les systèmes aérospatiaux, automobiles, industriels, médicaux et de télécommunications.

Principales caractéristiques et avantages

  • Temps d'accès rapide de 45 ns - Permet une récupération rapide des données pour les applications sensibles au temps
  • Large plage de tension (2,2 V - 3,6 V) - Compatibilité d'alimentation flexible pour diverses conceptions de systèmes
  • Plage de températures étendue (-40 °C à 85 °C) - Fiabilité éprouvée dans les environnements industriels et automobiles difficiles
  • Organisation de la mémoire 256K x 16 - Optimisée pour les architectures de bus de données 16 bits
  • Boîtier CMS 44-TSOP II - Conception compacte pour les circuits imprimés haute densité
  • Conforme à la directive RoHS - Répond aux normes environnementales et réglementaires

Applications

Cette mémoire SRAM est conçue pour les applications exigeantes, notamment les systèmes embarqués, les contrôleurs industriels, les calculateurs automobiles, les dispositifs médicaux, les équipements de télécommunications et l'avionique aérospatiale, où l'intégrité des données et la disponibilité sur un long cycle de vie sont essentielles.

Spécifications techniques complètes

Distributeur agréé – Nous assurons une traçabilité complète, la documentation de conformité RoHS/REACH et un support technique tout au long du cycle de vie des produits critiques. Contactez-nous pour connaître nos tarifs dégressifs, nos options d'emballage personnalisées et notre assistance technique.

Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant Technologies Infineon
Gamme de produits MOBL™
Conditionnement Plateau |
Type de mémoire Volatil
Format de mémoire SRAM
Technologie SRAM - Asynchrone
Taille de la mémoire 4 Mbits
Organisation de la mémoire 256K x 16
Interface mémoire Parallèle
Fréquence d'horloge -
Écrire le temps de cycle - Word, Page 45 ns
Temps d'accès 45 ns
Tension - Alimentation 2,2 V ~ 3,6 V
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 44-TSOP (0,400", largeur 10,16 mm)
Emballage du dispositif du fournisseur 44-TSOP II
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY

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