Infineon Technologies CY62147GN30-45ZSXIT
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 14.46 | Dhs. 14.46 |
| 15+ | Dhs. 13.99 | Dhs. 209.85 |
| 25+ | Dhs. 13.69 | Dhs. 342.25 |
| 50+ | Dhs. 12.93 | Dhs. 646.50 |
| 100+ | Dhs. 11.41 | Dhs. 1,141.00 |
| N+ | Dhs. 2.28 | Price Inquiry |
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Infineon CY62147GN30-45ZSXIT - Circuit intégré de mémoire SRAM 4 Mbit haute fiabilité
La puce CY62147GN30-45ZSXIT de la série MOBL™ d'Infineon Technologies est une SRAM asynchrone haut de gamme de 4 Mbit conçue pour les applications critiques exigeant une fiabilité et des performances exceptionnelles. Avec une organisation mémoire de 256 Ko x 16 et un temps d'accès ultrarapide de 45 ns, ce composant offre la vitesse et la fiabilité requises par les systèmes aérospatiaux, automobiles, industriels, médicaux et de télécommunications.
Principales caractéristiques et avantages
- Performances ultra-rapides : temps d’accès et cycle d’écriture de 45 ns pour les opérations critiques en temps réel
- Alimentation flexible : large plage de tension (2,2 V - 3,6 V) pour répondre aux besoins variés des systèmes.
- Plage de températures étendue : fonctionnement de -40 °C à 85 °C pour les environnements difficiles
- Interface parallèle : Intégration simple avec les architectures existantes
- Boîtier CMS : 44-TSOP II pour une conception de circuit imprimé efficace et un assemblage automatisé
- Conforme à la directive RoHS : répond aux normes environnementales pour un déploiement mondial
Applications idéales
Cette mémoire SRAM haute fiabilité est conçue pour les secteurs exigeants, notamment l'avionique aérospatiale, les systèmes de sécurité automobile, les contrôleurs d'automatisation industrielle, les équipements de diagnostic médical et les infrastructures de télécommunications, où l'intégrité des données et la prise en charge d'un cycle de vie long sont primordiales.
Spécifications techniques complètes
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | Technologies Infineon |
| Gamme de produits | MOBL™ |
| Conditionnement | Bande et bobine (TR) | |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | SRAM |
| Technologie | SRAM - Asynchrone |
| Taille de la mémoire | 4 Mbits |
| Organisation de la mémoire | 256K x 16 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | - |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 45 ns |
| Temps d'accès | 45 ns |
| Tension - Alimentation | 2,2 V ~ 3,6 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 44-TSOP (0,400", largeur 10,16 mm) |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 44-TSOP II |
| RoHS |  |
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